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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223600251U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520292418.8，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS，包括：第一漂移层连接至碳化硅衬底；均流层连接至第一漂移层，均流层上设有凸起部；第二漂移层连接至均流层，第二漂移层内侧面连接至凸起部外侧面；第一P型阱区连接至第二漂移层，第一P型阱区内侧面连接至凸起部外侧面；第一P型阱区上设有N型源区；肖特基区连接至第二漂移层，肖特基区内均匀间隔设置多个第二P型阱区，第二P型阱区连接至第二漂移层；绝缘介质层连接至第一P型阱区以及凸起部；源极金属层分别连接肖特基区、第二P型阱区、第一P型阱区以及N型源区；栅极金属层连接至绝缘介质层；漏极金属层连接至碳化硅衬底，提高体二极管续流能力，降低体二极管损耗。

本实用新型一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 第一漂移层，所述第一漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 均流层，所述均流层下侧面连接至所述第一漂移层，所述均流层上设有凸起部； 第二漂移层，所述第二漂移层下侧面连接至所述均流层上侧面，所述第二漂移层内侧面连接至所述凸起部外侧面； 第一P型阱区，所述第一P型阱区下侧面连接至所述第二漂移层上侧面，所述第一P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述第一P型阱区上设有N型源区； 肖特基区，所述肖特基区下侧面连接至所述第二漂移层上侧面，所述肖特基区内均匀间隔设置多个第二P型阱区，所述第二P型阱区下侧面连接至所述第二漂移层上侧面； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下侧面连接至所述第一P型阱区上侧面以及凸起部上侧面； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述肖特基区、第二P型阱区、第一P型阱区以及N型源区； 栅极金属层，所述栅极金属层下侧面连接至所述绝缘介质层上侧面； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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