南方科技大学刘召军获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223600250U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422820598.0，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构是由刘召军;张靖扬设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体领域，公开了一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构包括：蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长有GaN结核层；在所述GaN结核层上生长有硅掺杂的n+‑GaN层，在所述n+‑GaN层上生长有硅掺杂的n‑GaN层，在n‑GaN层生长有镁掺杂的p‑GaN层，在p‑GaN层上生长有镁掺杂的p+‑GaN层；从p+‑GaN层刻蚀至n+‑GaN层，并在n+‑GaN层表面制备负极；从p+‑GaN层刻蚀至p‑GaN层，形成连续的多级台阶，并在所述p+‑GaN层表面制备正极；本实用新型在引入多级台阶结终端结构后，电场集聚现象得到了明显缓解，这表明结终端结构有效降低了内部的电场峰值。
本实用新型一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构在权利要求书中公布了：1.一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长有GaN结核层；在所述GaN结核层上生长有硅掺杂的n+-GaN层，在所述n+-GaN层上生长有硅掺杂的n-GaN层，在n-GaN层生长有镁掺杂的p-GaN层，在p-GaN层上生长有镁掺杂的p+-GaN层；从p+-GaN层刻蚀至n+-GaN层，并在n+-GaN层表面设置有负极；从p+-GaN层刻蚀至p-GaN层，形成连续的多级台阶，并在所述p+-GaN层表面设置有正极。
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