合肥晶合集成电路股份有限公司刘扬获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体缺陷检测结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223598721U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422634708.4，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型半导体缺陷检测结构是由刘扬;曲厚任;陈铭;葛优设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体缺陷检测结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体缺陷检测结构，用于对半导体器件的金属导线进行缺陷检测，包待测金属线和若干个互连金属线，每一所述互连金属线上均设置有多个相互间隔的金属连接件；其中，所述待测金属线的至少一侧平行设有若干个所述互连金属线，且所述待测金属线与每一所述互连金属线之间的距离均相同，所述金属导线、所述待测金属线和所述互连金属线均设置于所述半导体器件的金属互连层内。本申请模拟了金属导线的实际设置方式以及可能产生的缺陷情况，根据待测金属线的阻值变化即可判断半导体器件中金属导线是否存在缺陷，有利于提高金属导线的缺陷检测效率，避免了检测过程中金属导线裸露而发生腐蚀的风险。
本实用新型半导体缺陷检测结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体缺陷检测结构，用于对半导体器件的金属导线进行缺陷检测，其特征在于，包括： 待测金属线； 若干个互连金属线，每一所述互连金属线上均设置有多个相互间隔的金属连接件； 其中，所述待测金属线的至少一侧平行设有若干个所述互连金属线，且所述待测金属线与每一所述互连金属线之间的距离均相同，所述金属导线、所述待测金属线和所述互连金属线均设置于所述半导体器件的金属互连层内。
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