能创半导体股份有限公司黄韦忠获国家专利权
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龙图腾网获悉能创半导体股份有限公司申请的专利功率模组与用于功率模组的成型保护结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223598720U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423193102.8，技术领域涉及：H01L23/50；该实用新型功率模组与用于功率模组的成型保护结构是由黄韦忠;张景尧设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率模组与用于功率模组的成型保护结构在说明书摘要公布了：本实用新型关于一种功率模组与用于功率模组的成型保护结构。一种用于功率模组的成型保护结构包含铜箔与至少一烧结层。铜箔具有多个第一孔洞。烧结层形成在铜箔上，且至少一烧结层与铜箔的第一孔洞在横截面中不重叠，其中至少一烧结层配置以将铜箔接合至功率模组的晶片，且第一孔洞配置以在晶片的栅极汇流线上，并在上视图中，沿着栅极汇流线排列。本实用新型的成型保护结构在与晶片结合时，其结合工艺对于晶片的栅极汇流线不会造成太大的应力而损害晶片的栅极汇流线。
本实用新型功率模组与用于功率模组的成型保护结构在权利要求书中公布了：1.一种用于功率模组的成型保护结构，其特征在于，包含： 铜箔，具有多个第一孔洞；以及 至少一烧结层，形成在所述铜箔上，且所述至少一烧结层与所述铜箔的所述多个第一孔洞在横截面中不重叠；其中所述至少一烧结层配置以将所述铜箔接合至所述功率模组的晶片，且所述多个第一孔洞配置以在所述晶片的栅极汇流线上，并在上视图中，沿着所述栅极汇流线排列。
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