珠海探宇芯科技有限公司李光获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海探宇芯科技有限公司申请的专利一种SDRAM大容量立体封装存储器模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223598715U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202522082551.3，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型一种SDRAM大容量立体封装存储器模块是由李光;王天翼;马云龙;高志斐;徐景龙;刘雯智设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SDRAM大容量立体封装存储器模块在说明书摘要公布了：本实用新型旨在提供一种能够节省平面空间、连接稳定可靠且便于制造的SDRAM大容量立体封装存储器模块。本实用新型包括若干电路板以及若干SDRAM存储器芯片，若干所述电路板堆叠设置，若干SDRAM存储器芯片对应设置在若干所述电路板上，相邻的两块所述电路板之间设置有填充间隙并通过填充在所述填充间隙的第一环氧树脂层相互固定连接，相邻的两块所述电路板之间通过设置在所述第一环氧树脂层侧壁的镀金层相互导通；位于端部的所述电路板的外侧设置有第二环氧树脂层。本实用新型应用于存储器模块的技术领域。
本实用新型一种SDRAM大容量立体封装存储器模块在权利要求书中公布了：1.一种SDRAM大容量立体封装存储器模块，它包括若干电路板1以及若干SDRAM存储器芯片2，若干所述电路板1堆叠设置，若干SDRAM存储器芯片2对应设置在若干所述电路板1上，其特征在于：相邻的两块所述电路板1之间设置有填充间隙并通过填充在所述填充间隙的第一环氧树脂层3相互固定连接，相邻的两块所述电路板1之间通过设置在所述第一环氧树脂层3侧壁的镀金层相互导通；位于端部的所述电路板1的外侧设置有第二环氧树脂层5。
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