江苏芯德半导体科技股份有限公司陈晗玥获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种芯片堆叠封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223598714U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423153125.6，技术领域涉及：H01L23/473；该实用新型一种芯片堆叠封装结构是由陈晗玥设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片堆叠封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种芯片堆叠封装结构，其包括：基板、硅载板、HBM芯片和SOC芯片，基板一侧连接硅载板，硅载板上设有多个电气互连通孔，HBM芯片堆叠在硅载板的上方，SOC芯片设在HBM芯片的上方，SOC芯片和HBM芯片连接，HBM芯片通过电气互连通孔与基板实现连接；SOC芯片的背面朝上设置，在SOC芯片的背面设置液冷通道，液冷通道供冷却液通过，对SOC芯片进行散热。本实用新型将SOC芯片设置在HBM芯片上方，结构简单，也便于热量向上方传导，并通过SOC芯片背面的液冷通道进行快速、高效的散热，避免了SOC芯片过热的问题，提高了SOC芯片的可靠性和寿命。
本实用新型一种芯片堆叠封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括基板、硅载板、HBM芯片和SOC芯片，所述基板一侧连接硅载板，所述硅载板上设有多个电气互连通孔，所述HBM芯片堆叠在硅载板的上方，所述SOC芯片设在HBM芯片的上方，所述SOC芯片和HBM芯片连接，HBM芯片通过电气互连通孔与基板实现连接；所述SOC芯片的背面朝上设置，在所述SOC芯片的背面设置液冷通道，所述液冷通道供冷却液通过，对SOC芯片进行散热。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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