深圳平湖实验室郑伟朋获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种芯片封装结构及封装模组获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223598711U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423154409.7，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种芯片封装结构及封装模组是由郑伟朋;李炜鸿;沈方韧设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构及封装模组在说明书摘要公布了：本公开提供的一种芯片封装结构及封装模组，采用重布线层与倒装工艺替代引线键合工艺，极大优化现有封装产品的导热性能和通流能力；第一双面覆铜陶瓷基板与第一引线框架连接，这样第一双面覆铜陶瓷基板将第一引线框架包裹在塑封体中，第一双面覆铜陶瓷基板可作为封装器件的内绝缘结构，且第一双面覆铜陶瓷基板与底层的散热基板搭配作为封装器件的双面散热结构，因此本公开的封装结构在外观上能适配现有晶体管外形的封装结构，且增加了内绝缘与双面散热结构，极大提升封装结构的散热性能，满足大功率、大电压和强电流对器件快速散热的要求；本公开的第一引线框架设计更好体现封装设计的灵活性，以适配封装小型化、不同尺寸化、多样化的全方位需求。
本实用新型一种芯片封装结构及封装模组在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：塑封体，以及位于所述塑封体内依次层叠设置的散热基板、芯片、重布线层、导电柱、第一引线框架和第一双面覆铜陶瓷基板；其中， 所述芯片焊接在所述散热基板的一侧，所述重布线层与所述芯片连接，所述导电柱与所述重布线层连接，所述第一引线框架包括连接结构以及由所述塑封体侧面伸出至所述塑封体外部的引脚，所述连接结构与所述导电柱连接；所述第一双面覆铜陶瓷基板与所述连接结构连接； 所述塑封体露出所述散热基板远离所述芯片的一侧以及露出所述第一双面覆铜陶瓷基板远离所述散热基板的一侧。
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