上海新昇半导体科技有限公司林志鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司申请的专利外延基座及外延设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223598701U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422990545.3，技术领域涉及：H01L21/683；该实用新型外延基座及外延设备是由林志鑫;张斌;俞登永设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延基座及外延设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种外延基座及外延设备，外延基座包括基座主体，基座主体的外缘具有一侧墙，侧墙环绕基座主体以形成具有内凹区域的片坑，片坑用以容纳硅片；在基座主体的厚度方向上，硅片在基座主体上的投影具有第一边界；基座主体的上表面设置若干条相互交叉的排气槽，至少部分排气槽在基座主体上的投影线的两个端点均位于第一边界之外。本申请技术方案中，若干条排气槽贯穿硅片边缘超出硅片所覆盖的区域，以使得硅片下方的气流在被压缩向片坑边缘逃逸的过程中有足够长的气流通道；排气槽与基座主体上原有的孔洞相配合，使硅片下方的气体迅速排出，提高硅片的上下片速度，并防止硅片滑片现象发生，提高了后续外延工艺的准确性以及产品质量。
本实用新型外延基座及外延设备在权利要求书中公布了：1.一种外延基座，包括基座主体，所述基座主体的外缘具有一侧墙，所述侧墙环绕所述基座主体以形成具有内凹区域的片坑，所述片坑用以容纳硅片；其特征在于， 在所述基座主体的厚度方向上，所述硅片在所述基座主体上的投影具有第一边界； 所述基座主体的上表面设置若干条相互交叉的排气槽，至少部分所述排气槽在所述基座主体上的投影线的两个端点均位于所述第一边界之外。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海新昇半导体科技有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路1000号1-4幢、6-19幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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