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龙图腾网获悉麦斯塔微电子(深圳)有限公司申请的专利MEMS谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120768288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511278227.7，技术领域涉及：H03H9/24；该发明授权MEMS谐振器及其制备方法是由黄寿设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及其制备方法，MEMS谐振器制备方法包括：形成第一晶圆，第一晶圆至少包括第一单晶硅层；形成第二晶圆，第二晶圆至少包括第二单晶硅层，和位于第二单晶硅层上的压电材料层；将第一晶圆和第二晶圆进行键合，形成至少包括第一单晶硅层、压电材料层及第二单晶硅层的叠层结构，且在进行键合之前或之后，对第一单晶硅层和第二单晶硅层进行高掺杂处理；对叠层结构进行深反应离子刻蚀，形成谐振器本体、连接梁及锚固件，谐振器本体悬空设置，以及谐振器本体经连接梁与锚固件连接。本申请提高MEMS谐振器的机电耦合效率和品质因数，以及保证MEMS谐振器的温度稳定性。

本发明授权MEMS谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS谐振器制备方法，其特征在于，包括： 形成第一晶圆，所述第一晶圆至少包括第一单晶硅层，其中，所述形成第一晶圆包括：提供第一绝缘体上硅晶圆，所述第一绝缘体上硅晶圆至少包括第一硅层，在所述第一硅层上形成凹槽；提供第二绝缘体上硅晶圆，所述第二绝缘体上硅晶圆包括所述第一单晶硅层，和所述第一单晶硅层上的第一介质层；将所述第一硅层具有所述凹槽的一侧和所述第一介质层进行键合，形成绝缘体上硅型的所述第一晶圆，以及所述凹槽在所述第一晶圆内形成空腔； 形成第二晶圆，所述第二晶圆至少包括第二单晶硅层，和位于所述第二单晶硅层上的压电材料层； 将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，形成至少包括所述第一单晶硅层、所述压电材料层及所述第二单晶硅层的叠层结构，且在进行所述键合之前或之后，对所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层进行高掺杂处理； 对所述叠层结构进行深反应离子刻蚀，形成谐振器本体、连接梁及锚固件，所述谐振器本体悬空设置，以及所述谐振器本体经所述连接梁与所述锚固件连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人麦斯塔微电子(深圳)有限公司，其通讯地址为：518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园1栋401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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