天目湖先进储能技术研究院有限公司尹新愿获国家专利权
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龙图腾网获悉天目湖先进储能技术研究院有限公司申请的专利一种原位制备氧卤化铋-PVDF基复合固态电解质膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510169367.4，技术领域涉及：H01M10/0565；该发明授权一种原位制备氧卤化铋-PVDF基复合固态电解质膜的方法是由尹新愿;请求不公布姓名;王愿习设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原位制备氧卤化铋-PVDF基复合固态电解质膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位制备氧卤化铋‑PVDF基复合固态电解质膜的方法，首先按照计量比，在加热状态下将铋盐、含有烷基和季铵阳离子的有机卤化物分别溶于有机溶剂，得到溶液1、溶液2，随后按照计量比，将在加热状态下将含有PVDF链段的聚合物、锂盐溶于含有铋盐的溶液2，得到溶液3，最后在加热状态下将溶液2、溶液3混合反应后，得到复合电解质的前驱体溶液，将复合电解质的前驱体溶液进行涂布并固化，得到复合固态电解质。本发明提出的制备方法解决了氧卤化铋无机填料在聚合物基质中难以均匀分散导致的固态电解质循环性能不足等问题，获得了一种快速制备的氧卤化铋‑PVDF基复合固态电解质膜的制备方法。
本发明授权一种原位制备氧卤化铋-PVDF基复合固态电解质膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种氧卤化铋-PVDF基复合固态电解质膜，其特征在于，复合固态电解质膜中PVDF的β相百分比选自60%-70%，结晶度20%-25%，其中，氧卤化铋通式为BiOX，其中Bi为铋元素，O为氧元素，X为卤素元素，卤元素选自Cl、Br、I、F中任意一种，氧卤化铋，与含有PVDF链段的聚合物的质量比选自0.01-0.5：1； 所述氧卤化铋-PVDF基复合固态电解质膜由下述方法制得： S1:按照计量比，在40℃-60℃下将铋盐、含有烷基和季铵阳离子的有机卤化物分别溶于有机溶剂，得到溶液1、溶液2； S2:按照计量比，在40℃-60℃下将含有PVDF链段的聚合物、锂盐溶于溶液2，得到溶液3； S3:在40℃-60℃下将溶液1、溶液3混合反应后，得到复合电解质的前驱体溶液，将复合电解质的前驱体溶液进行涂布并固化，得到复合固态电解质膜。
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