清华大学;北京电子控股有限责任公司汪莱获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;北京电子控股有限责任公司申请的专利基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411800089.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法是由汪莱;程安达;孙元浩;郝智彪;罗毅;任天令设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法。该InGaN红光LED器件自下至上依次包括：衬底、低温缓冲层、高温缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层和或低温GaN层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型区；其中，p型AlGaN电子阻挡层中的Al的原子百分含量为22‑30％，p型AlGaN电子阻挡层的厚度为5‑15nm。本发明通过控制p型AlGaN电子阻挡层，能够实现低In组分有源区的长波长发射，避免了现有的长波长InGaN红光LED的高In组分有源区晶体质量差、难以获得等问题。
本发明授权基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件，其自下至上依次包括：衬底、生长在所述衬底上的低温缓冲层、生长在所述低温缓冲层上的高温缓冲层、生长在所述高温缓冲层上的非掺杂GaN层、生长在所述非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层、生长在所述n型掺杂GaN层上的超晶格层和或低温GaN层、生长在所述超晶格层上或所述低温GaN层上的量子阱有源区、生长在所述量子阱有源区上的p型AlGaN电子阻挡层、以及生长在所述p型AlGaN电子阻挡层上的p型区；其中，所述量子阱有源区包括红光量子阱层-红光势垒层的复合层；以AlGaN中的Al和Ga的总原子数为100%计，所述p型AlGaN电子阻挡层中的Al的原子百分含量为22-30%；所述p型AlGaN电子阻挡层的厚度为5-15nm。
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