买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730352B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510229275.0，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件是由尼克·吉尔·施耐德;宝拉·迪亚兹·雷戈萨;拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移区；第二导电类型的体区，设于漂移区内；多个封闭的正六边形沟槽；每个正六边形沟槽的横截面均为闭合正六边形轮廓；正六边形沟槽中填充导电材料，且与半导体器件的其他结构电隔离；各正六边形沟槽之间彼此相邻排列，相邻的正六边形沟槽的相邻的边互相平行；高掺杂第一导电类型的源区，嵌入体区内，源区位于相邻的正六边形沟槽的相邻的边之间；接触区，设于源区中，接触区与源极或发射极电极连接。该半导体器件，栅极沟槽采用封闭的六边形单元形式排布，活性区域位于相邻六边形单元之间，该布局可提高功率密度和改善开关可控性，并增强设计的可调性。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一导电类型的漂移区； 第二导电类型的体区，设于所述漂移区内； 多个封闭的第一正六边形沟槽，所述第一正六边形沟槽由半导体器件的上表面延伸至所述体区中；每个所述第一正六边形沟槽的横截面均为闭合正六边形轮廓；所述第一正六边形沟槽中填充有导电材料，且所述导电材料通过电介质层与所述半导体器件的其他结构电隔离；所述导电材料与栅电极连接；各所述第一正六边形沟槽之间彼此相邻排列，且相邻的所述第一正六边形沟槽的相邻的边互相平行；各所述第一正六边形沟槽的边长相同； 高掺杂第一导电类型的源区，嵌入所述体区内，且所述源区位于相邻的第一正六边形沟槽的相邻的边之间； 接触区，设于所述源区中，所述接触区与源极或发射极电极连接； 第一导电类型的增强区，设于所述体区的下方；所述第一正六边形沟槽由半导体器件的上表面延伸至所述体区、所述增强区中； 相邻的所述第一正六边形沟槽之间的间距包括第一间距和第二间距，所述第二间距大于所述第一间距，所述接触区仅在间距为第二间距的相邻第一正六边形沟槽之间设置；间距为第二间距的相邻第一正六边形沟槽之间的区域，所述源区在宽度方向上的两侧不延伸至相邻第一正六边形沟槽；或间距为第二间距的相邻第一正六边形沟槽之间的区域中不设有源区，仅设置接触区，所述接触区与间距为第一间距的相邻第一正六边形沟槽之间的源区连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司，其通讯地址为：314100 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。