武汉理工大学冯骁斌获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119663178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411767901.3,技术领域涉及:C23C14/06;该发明授权一种具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜及其制备方法是由冯骁斌;丁逸轩;吴珞祺;张鑫磊;周子砚;段波;李国栋;翟鹏程设计研发完成,并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于热电材料技术领域,具体涉及一种具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜及其制备方法。本发明包括如下步骤:1以氧化硅片和聚酰亚胺为基底,将基底固定至基盘后装入溅射腔体;2将碲铋合金靶固定在直流电源上,将碲单质靶固定在射频电源上,并调节碲铋合金靶、碲单质靶和基底的间距,关闭舱门,利用电离方法清洗基底;3清洗结束后,采用间歇溅射方法生长具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜。本发明首创性的在室温条件和固定工作气压下,通过调节溅射总时长和溅射偏压,一步生长出具有高韧性纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜,能够满足柔性可穿戴热电器件的需求,具有潜在的商用前景。
本发明授权一种具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 1以氧化硅片和聚酰亚胺为基底,将基底固定至基盘后装入溅射腔体; 2将碲铋合金靶固定在直流电源上,将碲单质靶固定在射频电源上,并调节碲铋合金靶、碲单质靶和基底的间距,利用电离方法清洗基底; 3清洗结束后,采用间歇溅射方法生长具有高韧性的纤维羽毛状纳米晶碲化铋热电薄膜; 步骤3中,所述间歇溅射方法是将氩气流量、工作气压、基底转速、溅射温度、射频电源功率、直流电源功率、溅射偏压、脉冲占空比的参数设置后,第一次溅射12~17分钟,溅射结束后关闭射频和直流电源10~30分钟,第二次溅射12~17分钟,溅射结束后关闭射频和直流电源10~30分钟,以此类推,重复溅射过程一共3~5次; 所述间歇溅射方法中,氩气流量设置为85~90sccm,工作气压固定为2~3Pa,基底转速设置为10~20rpm,溅射温度设置为20~30℃,射频电源功率设置为38~42W,直流电源功率设置为8~12W,溅射偏压设置为0~150V,脉冲占空比设置为50%~80%。
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