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龙图腾网获悉深圳市聚飞光电股份有限公司申请的专利光电耦合器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411883307.0，技术领域涉及：H10F55/20；该发明授权光电耦合器及其制作方法是由陈宝良;汤海瀚;魏冬寒;谭镇良;孙平如设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电耦合器及其制作方法在说明书摘要公布了：一种光电耦合器及其制作方法，包括：第一导电支架，设置有固晶区；接收芯片，固定设置于固晶区；隔离保护层，叠放设置于接收芯片；发射芯片，叠放设置于隔离保护层；第二导电支架，与第一导电支架相对设置；发射芯片与第二导电支架通过晶线形成电连接；绝缘件，固定设置于第一导电支架与第二导电支架相对的端部；以及封装胶。由于发射芯片、隔离保护层及接收芯片在垂直方向依次贴合，使得光电耦合器在垂直方向上尺寸得以缩小；而又因为第一导电支架和第二导电支架相对的抵接，又使得光电耦合器在水平方向上尺寸也得以缩小，从而实现了光电耦合器整体尺寸更微小化。

本发明授权光电耦合器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电耦合器，其特征在于，包括： 第一导电支架，所述第一导电支架具有设置于其顶部的支撑面，所述支撑面上设置有固晶区； 接收芯片，所述接收芯片固定设置于所述固晶区，且所述接收芯片的感光面背离所述第一导电支架的所述支撑面设置，所述接收芯片与所述第一导电支架形成电连接； 隔离保护层，所述隔离保护层叠放设置于所述接收芯片的所述感光面之上； 发射芯片，所述发射芯片叠放设置于所述隔离保护层远离所述接收芯片的端部，且所述发射芯片的发光面朝向所述隔离保护层设置，所述发射芯片所发出的光经由所述隔离保护层传递至所述接收芯片； 第二导电支架，所述第二导电支架与所述第一导电支架沿所述第一导电支架的支撑面相对设置；所述发射芯片与所述第二导电支架通过晶线形成电连接； 绝缘件，所述绝缘件固定设置于所述第一导电支架与所述第二导电支架相对的端部；所述绝缘件包括连接套管，所述连接套管两端开口，分别套设于所述第一导电支架的端部和所述第二导电支架的端部；所述连接套管具有贯穿所述连接套管顶壁的连接通孔，所述连接通孔内嵌设有电极，所述电极与所述第二导电支架形成电连接；所述连接套管内还设置有隔断两端开口的绝缘层； 封装胶，所述封装胶将所述接收芯片、所述隔离保护层、所述发射芯片、部分所述第一导电支架以及部分所述第二导电支架一体包覆于其内。

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