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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119623169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411668792.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法是由李学生;徐皓辰;陈敏;谢晓梅;魏明珠;徐利梅;李强;孙灵杰;冉梦帆;陈威设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于有限元法的高热耗率SiCMOSFET功率器件热分析方法，包括以下步骤：步骤1、载入材料信息，步骤2、三维建模，根据所述各个零部件的三维尺寸与布置位置进行建模，获得三维模型；步骤3、模型修正，将三维模型的棱角进行圆弧化处理和简化处理；基于简化模型划分计算网格；步骤4、设置，对简化模型的各部分的材料属性进行设置；设置所述简化模型的边界条件；步骤5、获取稳态温度，选择固体传热物理场模型，利用热传导方程的有限元数值方法求取待分析的高热耗率SiCMOSFET功率器件的稳态温度。本发明能更高效地计算出高热耗率的SiCMOSFET功率器件的工作稳态温度，所使用简化的SiCMOSFET模型可以在满足工程误差需求下，提高计算速度。

本发明授权一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法在权利要求书中公布了：1.一种基于有限元法的高热耗率SiCMOSFET功率器件热分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、载入材料信息，所述材料包括待分析的高热耗率SiCMOSFET功率器件的各个零部件所包含的材料； 步骤2、三维建模，根据所述各个零部件的三维尺寸与布置位置进行建模，获得三维模型； 步骤3、模型修正，将三维模型的棱角进行圆弧化处理和简化处理，当存在分段结构时，将所述分段结构整体或部分合并成整体，获得简化模型；基于简化模型划分计算网格； 步骤4、设置，对简化模型的各部分的材料属性进行设置；设置所述简化模型的边界条件； 步骤5、获取稳态温度，选择固体传热物理场模型，利用热传导方程的有限元数值方法求取待分析的高热耗率SiCMOSFET功率器件的稳态温度； 所述简化模型的构建方法如下： 设置材料分别为SiC和Cu的两个长方体，两长方体的尺度等同于实际产品，并选取交界面正中的一个正方形作为热源；为模型加上针脚，所述针脚的数目和材料均等同于分析的高热耗率SiCMOSFET功率器件的针脚的数目和材料； 所述简化模型的理论热阻计算方法如下： ， 其中：是第i层材料的厚度；，分别为第i层材料的下表面长度和宽度；为第i层材料的导热系数，则SiCMOSFET的功率芯片的结到壳的理论热阻为： 。

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