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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种氧化镓薄膜及其异质结制备装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411727399.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种氧化镓薄膜及其异质结制备装置和方法是由张志鹏;陈军;陈满妮;邓少芝;许宁生设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓薄膜及其异质结制备装置和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及材料制备领域，更具体地，涉及一种氧化镓薄膜及其异质结制备装置和方法，本发明包括：空腔结构的真空镀膜设备、源材料蒸发源、可加热基板、激光源和进气口，所述源材料蒸发源设置在真空镀膜设备底部，可加热基板设置在真空镀膜设备顶部，所述激光源设置在真空镀膜设备一侧，所述进气口设置在真空镀膜设备另一侧。本发明在同一个装置内原位制备氧化镓薄膜及其异质结，并且实现半导体掺杂、激光诱导重结晶、界面态调控和半导体退火处理等功能，原位调控氧化镓薄膜及其异质结的电学特性和晶体结构，从而制备出低成本和高质量氧化镓薄膜及其异质结。

本发明授权一种氧化镓薄膜及其异质结制备装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓薄膜及其异质结制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将衬底8固定于可加热基板4的下表面，通过进气口7将真空镀膜设备1内部抽空至真空状态； S2：将源材料蒸发源2的P型半导体颗粒蒸发，在衬底8表面沉积P型半导体薄膜； S3：进气口7向P型半导体薄膜表面输送预设气体，使用激光源5对P型半导体薄膜表面进行激光照射处理；其中，此时所述激光源5的激光波长为550nm，光功率密度为20mWcm2，照射时间为10min； S4：将源材料蒸发源2的预设元素掺杂的氧化镓颗粒蒸发，在P型半导体薄膜表面沉积氧化镓薄膜； S5：进气口7向氧化镓薄膜表面输送预设气体，使用激光源5对氧化镓薄膜表面进行激光照射处理；其中，此时所述激光源5的激光波长为550nm，光功率密度为30mWcm2，照射时间为30min； S6：将源材料蒸发源2的N型半导体颗粒蒸发，在所述氧化镓薄膜表面沉积N型半导体薄膜； S7：进气口7向N型半导体薄膜表面输送预设气体，使用激光源5对所述N型半导体薄膜表面进行激光照射处理，得到氧化镓薄膜及其异质结；其中，此时所述激光源5的激光波长为550nm，光功率密度为20mWcm2，照射时间为10min。

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