昆明理工大学卢建臣获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119551664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772488.X，技术领域涉及：C01B32/184；该发明授权一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法是由卢建臣;张永;蔡金明;高蕾;孙丽设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种石墨烯纳米带硒化铜半导体异质结构及其制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明利用四蒽前驱体在铜基底的催化作用下会发生分子间碳氢活化和分子内环化脱氢的策略，将四蒽前驱体分子沉积在铜表面，并在100℃‑400℃温度下保温30分钟得到一维的石墨烯纳米带。然后将硒粉末沉积在上述石墨烯纳米带和铜基底上，并在100℃‑400℃温度下保温30分钟，利用硒粉末与铜基底发生化学反应生成单层硒化铜半导体的策略，得到石墨烯纳米带硒化铜半导体异质结构。
本发明授权一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯纳米带硒化铜半导体异质结构的制备方法，其特征在于具体步骤包括： 步骤1、制备铜单晶基底； 步骤2、将四蒽前驱体分子通过分子束外延技术沉积到保持在室温的铜单晶基底上，得到基底和四蒽前驱体分子的组装结构； 步骤3、将步骤2所得到的基底和四蒽前驱体分子的组装结构，升温至100℃-400℃，保温30分钟，得到一维的石墨烯纳米带； 步骤4、将硒粉末通过分子束外延技术沉积到步骤3所述的石墨烯纳米带样品上，升温至100℃-400℃，保温30分钟，得到石墨烯纳米带硒化铜半导体异质结构。
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