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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种Micro-LED光源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411655692.3，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权一种Micro-LED光源及其制备方法是由刘召军;黄文俊设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED光源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体显示技术领域，特别是涉及一种Micro‑LED光源及其制备方法。其中，所述Micro‑LED光源衬底层；缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；第一n型GaN层，位于所述缓冲层背离所述衬底层的一侧表面；若干空心圆柱结构，位于所述第一n型GaN层背离所述缓冲层的一侧表面，所述空心圆柱结构包括台面结构、部分包裹所述台面结构的钝化层、部分包裹所述钝化层的反射电极层、以及未被所述反射电极层包裹的钝化层与所述第一n型GaN层形成的空隙；所述空隙用于填充量子点溶液。本发明通过填充量子点溶液到LED的空隙部分，增强了蓝光的吸收和色转换效率。

本发明授权一种Micro-LED光源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED光源，其特征是，包括： 衬底层； 缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面； 第一n型GaN层，位于所述缓冲层背离所述衬底层的一侧表面； 若干空心圆柱结构，位于所述第一n型GaN层背离所述缓冲层的一侧表面，所述空心圆柱结构包括台面结构、部分包裹所述台面结构的钝化层、部分包裹所述钝化层的反射电极层、以及未被所述反射电极层包裹的钝化层与所述第一n型GaN层形成的空隙；所述空隙用于填充量子点溶液； 所述台面结构包括： 第二n型GaN层，位于所述第一n型GaN层背离所述缓冲层的一侧表面； 第三n型GaN层，位于所述第二n型GaN层背离所述第一n型GaN层的一侧表面； 第二多量子阱结构层，位于所述第三n型GaN层背离所述第二n型GaN层的一侧表面； 第二p型GaN层，位于所述第二多量子阱结构层背离所述第三n型GaN层的一侧表面； 电流扩散层，位于所述第二p型GaN层背离所述第二多量子阱结构层的一侧表面； 所述第一n型GaN层、第二n型GaN层以及第三n型GaN层的宽度依次递减；所述第三n型GaN层、所述第二多量子阱结构层、所述第二p型GaN层以及所述电流扩散层的宽度一致。

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