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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利一种双层原子芯片陀螺仪及其冷原子团环形束流形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119533434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411655089.5，技术领域涉及：G01C19/64；该发明授权一种双层原子芯片陀螺仪及其冷原子团环形束流形成方法是由汪川;张海潮设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双层原子芯片陀螺仪及其冷原子团环形束流形成方法在说明书摘要公布了：一种双层原子芯片陀螺仪，由两层原子芯片组成，表层芯片结构可以产生闭合光滑导引中心无磁场零点的环形磁导引；底层芯片可以产生分级过渡磁阱，使得冷原子团由宏观磁光阱平稳高效地装载入环形磁导引，同时增加磁阱在环形波导角方向的束缚。通过两层芯片时序上的配合，实现冷原子团由底层芯片形成的dimple阱中载入环形磁导引时，磁阱对冷原子团的角向束缚消失，径向束缚增大，给予冷原子团提供额外的角动量，实现冷原子团环形束流，探测物质波陀螺仪效应。两层芯片导线布局均为平面结构，易于刻蚀在芯片表面且方便调试，系统鲁棒性强。

本发明授权一种双层原子芯片陀螺仪及其冷原子团环形束流形成方法在权利要求书中公布了：1.一种双层原子芯片陀螺仪，其特征在于，由表层芯片和底层芯片粘贴而成，所述表层芯片，用于产生闭合光滑导引中心无磁场零点的环形磁导引；所述底层芯片，用于生成分级过渡磁阱，以实现冷原子团从宏观磁光阱到环形磁导引的转移，并在转移过程中进一步冷却；所述表层芯片和底层芯片通过时序上的配合以及磁阱结构的变化，为冷原子团提供额外的角动量，从而实现环形束流，用于探测物质波陀螺仪效应； 所述底层芯片由五根互相平行的导线和一个垂直贯穿五根导线的第六导线排列在原子芯片基底上，通过在导线上加载不同的电流，构造出多个Z型导线结构，产生分级过渡磁阱，包括宏观Z阱、Z型微磁阱和dimple阱，从而实现冷原子团从宏观磁光阱向环形磁导引的平稳转移； 所述五根导线，分别为第一导线41、第二导线42、第三导线43、第四导线44和第五导线45，其中，所述第三导线43排布在原子芯片基底的中心，宽度为0.1mm，所述第二导线42和第四导线44以第三导线43为中心轴对称分布，且两者的间距为2mm，宽度为0.2mm；所述第一导线41和第五导线45以第三导线43为中心轴对称分布，且两者间距为6mm，宽度为0.5mm；所述第六导线46排布在原子芯片基底的下部，且距离原子芯片基底下沿14.8mm，宽度为0.5mm。

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