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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利去除防水膜层的膜层制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506786B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411661190.1，技术领域涉及：C23C14/26；该发明授权去除防水膜层的膜层制备方法是由梁献波;刘克武设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本去除防水膜层的膜层制备方法在说明书摘要公布了：一种去除防水膜层的膜层制备方法包括步骤：S1，将需要去除基底上的膜系中的处于外表的防水膜层的先前的产品连同先前镀膜的陪镀片作为镜片放入工装夹具；S2，挂入真空镀膜机腔体内，腔体的温度设定为50‑70℃；S3，抽真空，离子源进行轰击，轰击过程包括子步骤：S31，在腔体设定的温度下，离子源大能量大流量轰击；S32，之后，降低腔体的温度5‑10℃并在降低的温度下恒温静置保持；S33，静置之后，在降低的腔体的温度下，离子源以小能量小流量轰击；S4，开门取出镜片；S5，用水滴在镜片的去除防水膜层的一侧的表面上，水挂住在镜片的该表面上说明防水膜层去除干净；S6，将步骤S5的检测合格的去除防水膜层的镜片进行清洗；S7，清洗后的镜片重新镀制防水膜层。

本发明授权去除防水膜层的膜层制备方法在权利要求书中公布了：1.一种去除防水膜层的膜层制备方法，其特征在于，包括步骤： S1，将需要去除基底上的膜系中的处于外表的防水膜层的先前的产品连同先前镀膜的陪镀片作为镜片放入工装夹具； S2，将装好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机腔体内，腔体的温度设定为50-70°C； S3，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到3×10-3Pa时，打开真空镀膜机的离子源进行轰击，轰击过程包括子步骤： S31，在腔体设定的温度下，离子源大能量大流量轰击，以去除防水膜层的一部分； S32，离子源大能量大流量轰击之后，降低腔体的温度5-10°C并在降低的温度下恒温静置保持； S33，静置之后，在降低的腔体的温度下，离子源以小能量小流量轰击，以去除防水膜层的剩余部分； S4，离子源轰击完成后，开门取出镜片； S5，将取出的镜片进行检查，用水滴在镜片的去除防水膜层的一侧的表面上，水挂住在镜片的该表面上说明防水膜层去除干净； S6，将步骤S5的检测合格的去除防水膜层的镜片进行清洗； S7，清洗后的镜片重新镀制防水膜层； 其中， 在子步骤S31中，离子源大能量大流量轰击的参数为：阳极电压为220V、阳极电流为1.5A、中和电流为1.5A、中和气流量为10sccm、氩气流量占比为100%，轰击时间2-3min； 在子步骤S33中，离子源小能量小流量轰击的参数为：阳极电压为110V、阳极电流为1A、中和电流为0.5A、中和气流量为6sccm、氩气流量占比为100%，轰击时间3-5min。

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