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龙图腾网获悉常州比太科技有限公司申请的专利用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119491211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411628743.3，技术领域涉及：C23C16/54；该发明授权用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法是由王迅设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明涉及SHJ电池微晶镀膜技术领域，具体涉及一种用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法，包括如下步骤：步骤S1，将PECVD腔体的温度预设至200‑260℃，将N型单晶硅片送入PECVD腔体；步骤S2，将HPT电源和钝化电源内的一对独立电源的相位角设置成0°‑180°；步骤S3，启动第一HPT电源；步骤S4，启动第一钝化电源，在N型单晶硅片的表面得到N1层；随后重复依次得到N2层、N3层；步骤S9，将N层钝化的N型单晶硅片送出PECVD腔体；本发明利用带有0°‑180°相位角的电源形成电磁场，在控制沉积区域的同时也加快了镀膜速率，同时由于沉积区域受电磁场所控制，因此实现了N层梯度掺杂在单腔内实现的效果。

本发明授权用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤： 镀膜模块，设于同一PECVD腔体的内部上方，依次按照HPT电源和钝化电源间隔设置的方式进行PECVD沉积的同时进行电磁场引导； 步骤S1，将PECVD腔体的温度预设至200-260℃，将N型单晶硅片送入PECVD腔体； 步骤S2，将HPT电源和钝化电源内的一对独立电源的相位角设置成＞0°且≤180°； 步骤S3，启动第一HPT电源，通入1000-3000sccm的H2，电磁场的功率设定为100-500W，PECVD腔体的末端压强设定为60-90Pa； 步骤S4，启动第一钝化电源，通入500-2000sccm的H2、100-300sccm的SiH4和50-100sccm的PH3，电磁场的功率设定为500-2000W，在N型单晶硅片的表面得到N1层，PECVD腔体的末端压强设定为60-90Pa； 步骤S5，启动第二HPT电源，通入1000-3000sccm的H2，电磁场的功率设定为100-500W，PECVD腔体的末端压强设定为60-90Pa； 步骤S6，启动第二钝化电源，通入500-2000sccm的H2、100-300sccm的SiH4和100-300sccm的PH3，电磁场的功率设定为500-2000W，在N型单晶硅片的表面得到N2层，PECVD腔体的末端压强设定为60-90Pa； 步骤S7，启动第三HPT电源，通入1000-3000sccm的H2，电磁场的功率设定为100-500W，PECVD腔体的末端压强设定为60-90Pa； 步骤S8，启动第三钝化电源，通入500-2000sccm的H2、100-300sccm的SiH4和100-500sccm的PH3，电磁场的功率设定为500-2000W，在N型单晶硅片的表面得到N3层，PECVD腔体的末端压强设定为60-90Pa； 步骤S9，将N层钝化的N型单晶硅片送出PECVD腔体。

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