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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种致密有序的硒化镉量子阱薄膜及制备电致发光二极管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411672866.7，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种致密有序的硒化镉量子阱薄膜及制备电致发光二极管的方法是由田建军;巴国航;黄菲设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种致密有序的硒化镉量子阱薄膜及制备电致发光二极管的方法在说明书摘要公布了：一种致密有序的硒化镉量子阱薄膜及制备电致发光二极管的方法，属于半导体发光、显示与纳米科技领域。本发明开发了一种利用两相溶液互斥机理的薄膜制备技术获得致密有序胶体量子阱薄膜的方法。将胶体量子阱置入乙二醇溶液中，然后将旋涂有空穴注入层和传输层的透明导电衬底浸入乙二醇溶液，胶体量子阱转移至透明导电衬底。随后旋涂电子传输层和沉积电极获得量子阱发光二极管。本发明致密有序排列的量子阱薄膜显著提升了量子阱薄膜电荷传输性能，改善量子阱出光耦合效率，外量子效率超过25%、亮度超过5万尼特，在新一代发光和显示领域表现出巨大发展潜力。

本发明授权一种致密有序的硒化镉量子阱薄膜及制备电致发光二极管的方法在权利要求书中公布了：1.一种致密有序的硒化镉量子阱薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将十四酸钠和四水硝酸镉分别溶解到第一溶剂中，待完全溶解后将其混合形成十四烷酸镉，过滤，使用第一溶剂洗涤，烘干备用； 2硒化镉量子阱核心：将0.2~1.6毫摩尔十四烷酸镉、0.1~0.8毫摩尔硒粉与溶剂混合，在在惰性气体氛围下，升温至140~200摄氏度，注入二水乙酸镉，然后升至200~260摄氏度并保温5~20分钟，注入0.2~1毫升油酸，冷却降温，使用正己烷和乙醇的混合溶液洗涤量子阱，使用第二溶剂重新分散，形成硒化镉量子阱核心溶液； 3核壳结构硒化镉镉锌硫量子阱：向硒化镉量子阱核心溶液中加入0.1~0.3毫摩尔无水醋酸镉、0.3~0.9毫摩尔无水醋酸锌、0.5~1.5毫升油酸、0.2~1毫升1-十八烯混合，在惰性气体氛围下，升温至70~100摄氏度，保温0.2~1小时，注入0.2~1毫升油胺，升温至280~320摄氏度，当温度达到120~180摄氏度时开始注入辛硫醇，在280~320摄氏度保温0.5~1.5小时，冷却降温，得到核壳结构硒化镉镉锌硫量子阱； 4使用第二溶剂和第一溶剂的混合溶液洗涤核壳结构硒化镉镉锌硫量子阱；使用第二溶剂重新分散，形成核壳结构硒化镉镉锌硫量子阱溶液，浓度为10~50毫克毫升； 5在氮气保护下，10~30摄氏度，将核壳结构硒化镉镉锌硫量子阱溶液逐滴加入乙二醇溶液中，至多量子阱铺满乙二醇液面为止，再滴加乙二醇溶液体积比1%~10%的三正辛胺； 6静置1~15分钟后，得到致密有序的硒化镉量子阱薄膜。

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