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龙图腾网获悉中欧电子材料国际创新中心(合肥)有限公司申请的专利一种微纳米柱体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411567619.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种微纳米柱体结构的制作方法是由越来;刘洋;林勇成;欧海燕;宫艺;田兴友设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微纳米柱体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微纳米柱体结构的制作方法，涉及LED技术领域，包括以下步骤：对CaN晶圆和目标基板进行清洗后将CaN晶圆上的缓冲层、N‑CaN层、MQWS层、P‑GaN层一体式地从蓝宝石衬底上剥离下来，然后将P‑GaN层焊接在目标基板上，再将缓冲层刻蚀除去,在N‑CaN层上先沉积SiO2缓冲层，再沉积金属掩膜层，最后进行第一次、第二、第三次刻蚀，形成微纳米柱体结构；通过将目标晶圆上的缓冲层剥离使得N‑CaN层暴露在外，然后在N‑CaN上进行沉积与刻蚀，N‑CaN层相较于缓冲层明显具备更少的缺陷，因此将N‑CaN层作为加工层，可以避免刻蚀出尖锥型或金字塔形的结构，而能够得到微纳米柱体结构。

本发明授权一种微纳米柱体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微纳米柱体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1:对CaN晶圆和目标基板进行清洗，所述CaN晶圆包括自下而上依次叠设的蓝宝石衬底、缓冲层、N-CaN层、MQWS层、P-GaN层；清洗后将CaN晶圆上的缓冲层、N-CaN层、MQWS层、P-GaN层一体式地从蓝宝石衬底上剥离下来，然后将剥离部分中的P-GaN层以共晶键合的方式焊接在目标基板上，得到目标晶圆； S2:将目标晶圆上的缓冲层通过感性耦合等离子体刻蚀法刻蚀除去,暴露出N-CaN层； S3:在N-CaN层上先沉积SiO2缓冲层，然后在SiO2缓冲层上沉积金属掩膜层； S4：在沉积金属掩膜层上使用反应离子刻蚀设备依次进行第一次刻蚀和第二次刻蚀，再使用感应耦合等离子体刻蚀设备进行第三次刻蚀；其中，第一次刻蚀去除了金属掩膜层，暴露出SiO2缓冲层；第二次刻蚀去除了第一次刻蚀暴露出的SiO2缓冲层，暴露出目标晶圆；第三次刻蚀落在第二次刻蚀暴露出的目标晶圆上，形成微纳米柱体结构。

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