北京纳米能源与系统研究所孙其君获国家专利权
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龙图腾网获悉北京纳米能源与系统研究所申请的专利基于TENG的超陡峭亚阈值摆幅场晶体管、加工方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411670234.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于TENG的超陡峭亚阈值摆幅场晶体管、加工方法及应用是由孙其君;隗义琛设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于TENG的超陡峭亚阈值摆幅场晶体管、加工方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及双电层晶体管技术领域，具体涉及基于TENG的超陡峭亚阈值摆幅场晶体管、加工方法及应用。本发明的基于TENG的超陡峭亚阈值摆幅场晶体管，包括：晶体管组件、TENG组件。本发明利用TENG组件产生施加在栅极的电压VG，替代了现有场效应晶体管对栅极施加的供电电压；VG能够随着TENG组件调整而变化，并使从源极通过半导体层流向漏极的电流IDS在从正电压逐渐变成负电压的过程中达到达负电压阈值V负时附近出现超陡峭突变；本发明方便实现栅极自供电，以及外部运动与电子器件的直接交互，便于结构集成。本发明解决了现有超陡峭亚阈值摆幅场晶体管由于采用外部电源来充当栅极电压造成集成难度高的问题。
本发明授权基于TENG的超陡峭亚阈值摆幅场晶体管、加工方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于TENG的超陡峭亚阈值摆幅场晶体管，其特征在于，包括： 晶体管组件，其为NMOS型；所述晶体管组件包括：基底一、半导体层、栅介质层、漏极、源极、栅极；所述基底一、半导体层、栅介质层、栅极依次堆叠；所述漏极、源极连接在半导体层背向基底一的一面，并被栅介质层隔开；所述栅极与漏极、源极均不接触；所述漏极、源极具有电势差；所述栅极为表面带有Al2O3氧化层的Al电极；所述栅介质层为离子凝胶； 以及 TENG组件，其用于调控施加在栅极的电压VG；TENG组件包括：静摩擦层、动摩擦层；所述动摩擦层与源极电性连接；所述静摩擦层与栅极电性连接；所述静摩擦层、动摩擦层的电子束缚能力不同；所述动摩擦层用于在外力F作用下产生移动，以改变动摩擦层、静摩擦层的距离，并同步改变VG； 其中，在VG从正电压逐渐变成负电压的过程中，IDS到达负电压阈值V负时出现超陡峭突变；IDS表示从源极通过半导体层流向漏极的电流。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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