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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利存储单元、存储器件及存储器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410504407.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器件及存储器件的制造方法是由刘淼设计研发完成，并于2024-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元、存储器件及存储器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储单元，包括：写晶体管，其包括第一半导体沟道、第一源漏极和第二源漏极；读晶体管，其包括第二半导体沟道、第三源漏极和第四源漏极；第一半导体沟道位于第一源漏极和第二源漏极之间的部分为第一有效半导体沟道；第二半导体沟道位于第三源漏极和第四源漏极之间的部分为第二有效半导体沟道；第一有效半导体沟道靠近第一源漏极处的部分的沟道外环尺寸与第一有效半导体沟道靠近第二源漏极处的部分的沟道外环尺寸不同；第二有效半导体沟道靠近第三源漏极处的部分的沟道外环尺寸与第二有效半导体沟道靠近第四源漏极处的部分的沟道外环尺寸不同。本发明还提供了一种存储器件及其制造方法。本发明能够提升沟道长度并提升存储密度。

本发明授权存储单元、存储器件及存储器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 写晶体管，所述写晶体管包括第一栅极、环绕所述第一栅极的第一栅介质、环绕所述第一栅介质的第一半导体沟道、第一源漏极和第二源漏极；所述第一源漏极设于所述第一栅极的第一端，并位于所述第一半导体沟道的外侧；所述第二源漏极设于所述第一栅极的第二端，并位于所述第一半导体沟道的外侧； 读晶体管，所述读晶体管包括第二栅极、环绕所述第二栅极的第二栅介质、环绕所述第二栅介质的第二半导体沟道、第三源漏极和第四源漏极；所述第二源漏极和所述第二栅极导电连接；所述第三源漏极设于所述第二栅极的第一端，并位于所述第二半导体沟道的外侧；所述第四源漏极设于所述第二栅极的第二端，并位于所述第二半导体沟道的外侧； 其中，所述第一半导体沟道位于所述第一源漏极和所述第二源漏极之间的部分为第一有效半导体沟道；所述第二半导体沟道位于所述第三源漏极和所述第四源漏极之间的部分为第二有效半导体沟道； 所述第一有效半导体沟道靠近所述第一源漏极处的部分的沟道外环尺寸与所述第一有效半导体沟道靠近所述第二源漏极处的部分的沟道外环尺寸不同；所述第二有效半导体沟道靠近所述第三源漏极处的部分的沟道外环尺寸与所述第二有效半导体沟道靠近所述第四源漏极处的部分的沟道外环尺寸不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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