电子科技大学;西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)孙敏获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学;西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)申请的专利一种平面变压器通孔损耗获取的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119475677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411435365.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种平面变压器通孔损耗获取的方法是由孙敏;吉琳聪;何鑫;王国武;赵晨希设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面变压器通孔损耗获取的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面变压器通孔损耗获取的方法，通过建立通孔损耗的数学模型后，根据定义的通孔半径和间距，确定通孔阵列的电流分布参数，进而使用用Biot‑Savart定律计算定义区域内通孔产生的磁场，进一步确定通孔的空间电流，最后计算得到通孔损耗。
本发明授权一种平面变压器通孔损耗获取的方法在权利要求书中公布了：1.一种平面变压器通孔损耗获取的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1、建立通孔阵列数学模型； 通过MATLAB仿真软件建立通孔阵列的数学模型，定义通孔阵列的大小为，其中，为通孔阵列的行数，为通孔阵列的列数，，，且和不能同时为1；设置通孔阵列各通孔的内半径为、外半径为，通孔间距为； 2、定义通孔阵列产生的磁场区域； 以通孔阵列中心点为二维坐标原点，每个通孔以通孔中心位置产生10+×10+大小的矩形磁场区域； 将通孔阵列产生的磁场区域划分成间隔为0.01+的网格点，每个网格点对应一个二维坐标； 3、确定通孔阵列的电流分布参数； 4、使用Biot-Savart定律计算各通孔外表面各微元段的外切向磁场，其中，表示第个通孔外表面的第微元段的外切向磁场； 5、设各通孔外表面各微元段的电流是恒定的，则各微元段的电流为： ； 其中，表示第个通孔外表面的第微元段的电流，表示微元段数量； 6、根据通孔空间电流分布计算通孔阵列损耗，包括总交流损耗和总直流损耗。
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