买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利存储装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410408489.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储装置及其制作方法是由王景皓;藤泽幸治设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种存储装置及其制作方法，存储装置包括读取晶体管和写入晶体管，读取晶体管包括第一栅极、第一栅介质层、第一沟道、第一漏极和第一源极，第一沟道至少形成在容置孔侧壁的部分区域，第一漏极和第一源极均与第一沟道连接，第一栅介质层至少覆盖第一沟道，第一栅极形成在容置孔内且位于第一栅介质层远离第一沟道一侧；写入晶体管包括第二沟道和第二源极，第二沟道至少部分位于容置孔内，第二源极与第二沟道连接。读取晶体管和写入晶体管的沟道在同一容置孔中，与使用在同一平面上的两个水平沟道的薄膜晶体管连接的存储单元相比，减小了存储单元占用面积，提高了晶体管的集成密度。

本发明授权存储装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的至少一层存储器件层，所述存储器件层包括： 绝缘层，包括竖直方向层叠设置的第一绝缘层和第二绝缘层； 至少一存储单元，所述存储单元包括读取晶体管和写入晶体管，所述读取晶体管包括第一栅极、第一栅介质层、第一沟道、第一漏极和第一源极，所述第一绝缘层靠近所述第二绝缘层一侧设置有容置孔，所述第一沟道至少形成在所述容置孔侧壁的部分区域，所述第一漏极和所述第一源极间隔设置在所述容置孔外，所述第一漏极位于所述第一源极远离所述第二绝缘层一侧，所述第一漏极和所述第一源极均与所述第一沟道连接，所述第一栅介质层至少覆盖所述第一沟道，所述第一栅极形成在所述容置孔内且位于所述第一栅介质层远离所述第一沟道一侧； 所述写入晶体管包括第二栅极、第二栅介质层、第二沟道和第二源极，所述第二沟道至少部分位于所述容置孔内，所述第二沟道的漏极端与所述第一栅极连接，所述第二源极与所述第二沟道连接，所述第二栅极形成在所述第二沟道远离所述第一栅介质层一侧，所述第二栅介质层形成在所述第二栅极与所述第二沟道之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。