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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311278827.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由谢明宏设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括衬底和至少一层功能层，功能层包括：第一信号线和第二信号线，沿竖直方向层叠在衬底上，第二信号线位于第一信号线远离衬底的一侧，并通过绝缘膜层与第二信号线之间相互绝缘，第一信号线和第二信号线均在第一水平方向上延伸，其中，第一信号线和第二信号线均具有主体延伸部和引出端部，在第一信号线和第二信号线中：引出端部位于主体延伸部在第一水平方向上的至少一端；第一信号线的主体延伸部和第二信号线的主体延伸部在衬底上的正投影存在交叠；第一信号线的引出端部和第二信号线的引出端部在衬底上的正投影不存在交叠。该方案利于各层信号线独立引出。

本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括衬底和至少一层功能层，所述功能层包括：第一信号线、第二信号线、第三信号线和第四信号线，沿竖直方向层叠在所述衬底上，并通过绝缘膜层和与其相邻的信号线之间相互绝缘； 所述第二信号线位于所述第一信号线远离所述衬底的一侧，所述第三信号线形成在所述第一信号线和所述第二信号线之间，所述第四信号线形成在所述第三信号线与所述第二信号线之间或形成在所述第二信号线远离所述第三信号线的一侧；所述第一信号线和所述第二信号线均在第一水平方向上延伸，所述第三信号线和所述第四信号线均在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸，其中， 所述第一信号线、所述第二信号线、所述第三信号线和所述第四信号线均具有主体延伸部和引出端部； 在所述第一信号线和所述第二信号线中：所述引出端部位于所述主体延伸部在第一水平方向上的至少一端；在所述第三信号线和所述第四信号线中：所述引出端部位于所述主体延伸部在第二水平方向上的至少一端； 所述第一信号线的主体延伸部和所述第二信号线的主体延伸部在所述衬底上的正投影存在交叠，所述第一信号线的引出端部和所述第二信号线的引出端部在所述衬底上的正投影不存在交叠，所述第四信号线的主体延伸部和所述第三信号线的主体延伸部在所述衬底上的正投影存在交叠，所述第四信号线的引出端部和所述第三信号线的引出端部在所述衬底上的正投影不存在交叠； 在所述第一信号线、所述第二信号线、所述第三信号线和所述第四信号线中：引出端部具有靠近所述衬底的第一表面和远离所述衬底的第二表面；在所述第一信号线、所述第二信号线、所述第三信号线和所述第四信号线中：所述第一表面指向所述第二表面的方向或所述第二表面指向所述第一表面的方向为引出方向； 其中，所述功能层设置多层，且沿竖直方向依次层叠设置在所述衬底上，在相邻两层所述功能层中： 在所述第二表面指向所述第一表面的方向为所述引出方向时，远离所述衬底的所述功能层的第一信号线的延伸长度大于靠近所述衬底的所述功能层的第二信号线的延伸长度，远离所述衬底的所述功能层的第三信号线的长度大于靠近所述衬底的所述功能层中第四信号线的长度；或 在所述第一表面指向所述第二表面的方向为所述引出方向时，远离所述衬底的所述功能层的第一信号线的延伸长度小于靠近所述衬底的所述功能层的第二信号线的延伸长度，远离所述衬底的所述功能层的第三信号线的长度小于靠近所述衬底的所述功能层中第四信号线的长度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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