上海应用技术大学张彦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利一种Cr3+掺杂的氟硫酸盐基质深红发光材料及其制备与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119410362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411549966.0，技术领域涉及：C09K11/64；该发明授权一种Cr3+掺杂的氟硫酸盐基质深红发光材料及其制备与应用是由张彦;李满意;王嘉璐;房永征设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Cr3+掺杂的氟硫酸盐基质深红发光材料及其制备与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种Cr3+掺杂的新型氟硫酸盐基质深红发光材料及其制备与应用。所述发光材料的化学通式为：K21‑aA2aAl1‑bBbSO4F3:xCr3+，0≤a≤1，0≤b≤0.5，A为第一主族元素或一价Ag、Cu、Au中的至少一种，B包括Ga、In、TI、Sc的三价离子中的一种，发光中心为Cr3+。所述发光材料的制备方法为：根据各物质化学计量比称取原料，研磨使其混合均匀，预烧结后再次研磨，使混合更加均匀后再次煅烧，经过离心、烘干、过筛后得到所需发光材料。与现有技术相比，本发明制备的Cr3+掺杂的新型氟硫酸盐基质深红发光材料在合成工艺简单，此外，在合成过程中不需要对人类和环境有害的氢氟酸或者是有毒且加热易分解的氟化铵来提供氟源。
本发明授权一种Cr3+掺杂的氟硫酸盐基质深红发光材料及其制备与应用在权利要求书中公布了：1.一种Cr3+掺杂的氟硫酸盐基质深红发光材料，其特征在于，具有以下化学通式：K21-aA2aAl1-bBbSO4F3:xCr3+，0≤a≤0.5，0≤b≤0.2， 其中，0.1at%≤x≤20at%，A为Na、Cs、Rb中的一种，B为Ga、In的三价离子中的一种，发光中心为Cr3+。
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