厦门三安光电有限公司李佳恩获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种微发光二极管及其显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411561697.X，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权一种微发光二极管及其显示装置是由李佳恩;叶雪萍;蔡文必设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微发光二极管及其显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有凹槽，凹槽贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一类型半导体层，半导体层序列的背侧包括有凹槽内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的凹槽侧壁，半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极用于与外部电源键合，第一金属电极的铬含量大于第二金属电极，解决第二金属电极的铬容易迁移的问题。
本发明授权一种微发光二极管及其显示装置在权利要求书中公布了：1.一种微发光二极管，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有凹槽，凹槽贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一类型半导体层，半导体层序列的背侧包括有凹槽内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的凹槽侧壁，半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极，其特征在于：第一金属电极的铬含量大于第二金属电极，第二金属电极不含有铬，第二金属电极的长度为2μm至30μm，第一金属电极为N型电极，第二金属电极为P型电极。
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