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龙图腾网获悉清华大学;珠海华发实业股份有限公司申请的专利基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119395812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411561437.2，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法是由冯雪;孔德阳;李永卓;黄翊东;张巍;崔开宇;刘仿;黄凤彬;李天航;李果;赵晓勇设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微纳光电子芯片技术领域，尤其涉及一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法。本发明的波导包括：铌酸锂、包层、衬底和金属层；包层设于衬底上，且铌酸锂的一端暴露于包层的第一侧暴露，铌酸锂的另一端嵌入包层的内部，金属层设于包层的顶部。衬底为输入端口，波导与铌酸锂暴露的一端耦合，包层的顶部为输出端口。本发明提供的一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法，针对耦合条件进行了设计，由于TE和TM的模场主要集中在侧壁和顶部，这使得TM模式在耦合至左侧波导后被金属强烈吸收，而TE模式耦合后由于存在氧化硅的包层间隔吸收较弱，能够提高片上偏振器件的偏振消光比、降低器件整体损耗。

本发明授权基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导，其特征在于，包括：铌酸锂、包层1、衬底2和金属层3； 所述包层1设于所述衬底2上，且所述铌酸锂的一端暴露于所述包层1的第一侧暴露，所述铌酸锂的另一端嵌入所述包层1的内部，所述金属层3设于所述包层1的顶部；其中， 所述衬底2为输入端口，波导与所述铌酸锂暴露的一端耦合，所述包层1的顶部为输出端口； 所述铌酸锂包括：彼此平行的第一条状铌酸锂41和第二条状铌酸锂42；所述金属层3包括：第一金属层3和第二金属层3，所述第一金属层3位于所述包层1的顶部且位于所述第一条状铌酸锂41嵌入所述包层1内部的一端，所述第二金属层3位于包层1的顶部且位于所述第二条状铌酸锂42嵌入所述包层1内部的一端； 所述铌酸锂还包括：第三条状铌酸锂43，所述第三条状铌酸锂43穿过所述包层1，且所述第三条状铌酸锂43的一端暴露于所述包层1的第二侧，所述第三条状铌酸锂43的另一端暴露于所述包层1的第三侧； 所述第三条状铌酸锂43的延伸方向垂直于所述第一条状铌酸锂41和所述第二条状铌酸锂42的延伸方向。

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