买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利一种垂直型沟道孔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411441288.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种垂直型沟道孔的制备方法是由徐正弘设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直型沟道孔的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种垂直型沟道孔的制备方法，其包括：S10：提供一半导体结构，其包括刻蚀停止层和待刻蚀层；S20：利用光刻工艺在半导体结构上形成图案化掩模层；S30：以图案化掩模层为掩模，通过干法刻蚀工艺形成垂直贯穿待刻蚀层的初始沟道孔；S40：对初始沟道孔进行湿法清洗，并量测得到湿法清洗后的沟道孔的平均孔径；S50：基于该平均孔径，确定湿法刻蚀工艺参数，对沟道孔进行湿法刻蚀，并量测得到湿法刻蚀后的沟道孔的平均孔径；S60：判断量测的沟道孔的平均孔径是否小于设定孔径下限值；若是，则重复步骤50和步骤S60直至再次湿法刻蚀后量测得到的沟道孔的平均孔径不小于设定孔径下限值。本申请的制备方法能显著提升沟道孔孔径的稳定性。

本发明授权一种垂直型沟道孔的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型沟道孔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10：提供一半导体结构，所述半导体结构包括依次层叠在衬底上的刻蚀停止层和待刻蚀层； S20：利用光刻工艺在所述半导体结构上形成图案化掩模层； S30：以所述图案化掩模层为掩模，通过干法刻蚀工艺形成垂直贯穿所述待刻蚀层的初始沟道孔，所述初始沟道孔的横截面为圆形； S40：对所述初始沟道孔进行湿法清洗，形成湿法清洗后的沟道孔并量测得到所述湿法清洗后的沟道孔的平均孔径；其中，所述湿法清洗后的沟道孔的目标平均孔径为d1，所述垂直型沟道孔的目标平均孔径为d2，d2＝1.02～1.2×d1； S50：基于量测得到的沟道孔的平均孔径，确定湿法刻蚀工艺参数，根据所述湿法刻蚀工艺参数对沟道孔进行湿法刻蚀，形成湿法刻蚀后的沟道孔，并量测得到湿法刻蚀后的沟道孔的平均孔径； S60：判断量测的沟道孔的平均孔径是否小于设定孔径下限值；若是，则重复步骤50和步骤S60直至再次湿法刻蚀后量测得到的沟道孔的平均孔径不小于设定孔径下限值，以完成所述垂直型沟道孔的制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。