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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种用于低能离子束中性化的栅板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411486379.1，技术领域涉及：H01J37/02；该发明授权一种用于低能离子束中性化的栅板是由张湧颀;鄂鹏;卢耀文;王欢设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于低能离子束中性化的栅板在说明书摘要公布了：一种用于低能离子束中性化的栅板，涉及离子中性化技术领域。限流板、绝缘环与中性化板依次同轴连接固定，限流板正面面对离子束来流方向，中性化板位于限流板背面，限流板中心加工第一通孔，直径Φ0，中性化板中心加工第二通孔，直径Φ1，Φ1≥Φ0，中性化板正面沿纵向均匀加工若干个水平插槽，水平插槽与第二通孔的轴线之间存在纵向倾角θ，并且在所有水平插槽内均插装金属栅片使第二通孔内形成栅板结构的中性化通道。能够减小低能离子束在中性化过程中的能量损耗和角度发散，提高中性束流的品质，同时其结构简单合理，保证了栅板的可加工性。

本发明授权一种用于低能离子束中性化的栅板在权利要求书中公布了：1.一种用于低能离子束中性化的栅板，其特征在于：包括限流板1、绝缘环2以及中性化板3，所述限流板1、所述绝缘环2与所述中性化板3依次同轴连接固定，限流板1正面面对离子束来流方向，中性化板3位于限流板1背面，绝缘环2夹装在限流板1与中性化板3之间，限流板1的中心位置加工有第一通孔，所述第一通孔的直径，中性化板3的中心位置加工有第二通孔，所述第二通孔的直径，且，绝缘环2设置为边缘比中性化板3略大的矩形，而中心设置为比第二通孔直径略大的通孔，中性化板3正面沿纵向均匀加工若干个水平插槽，所述水平插槽与第二通孔的轴线之间存在纵向倾角，，并且在所有水平插槽内均插装金属栅片5使第二通孔内形成栅板结构的中性化通道，所述金属栅片5的粗糙度Ra=1nm~10nm，金属栅片5分为倾角单一式排布和倾角渐缩式排布两种形式，所述倾角单一式排布是指所有水平插槽的纵向倾角角度和方向都相同且等间距排布，最终使所有金属栅片5以同方向的单一倾角等间距排布；所述倾角渐缩式排布是指所有水平插槽分为同等数量的两部分，两部分水平插槽的纵向倾角角度相同但方向不同，沿第一通孔的轴线上下对称排布，最终使每两个对称的金属栅片5形成前端宽后端窄的渐缩式排布。

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