厦门三安光电有限公司孙旭获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342957B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411388261.5，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由孙旭;杨人龙;林兓兓设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括：半导体叠层，自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于第二半导体层之上；保护层，形成于透明导电层之上；第二电极，形成于保护层上，包括焊盘部和扩展部；保护层在第二电极的焊盘部和扩展部分别形成第一开口和第二开口，第二电极通过第一开口和第二开口与第二半导体层形成电性连接；其特征在于：保护层的第二开口包括若干个第一开口部和一个第二开口部，第二开口部形成于远离第二电极焊盘部的末端，第二开口部的尺寸大于第一开口部的尺寸。本发明通过将保护层位于第二电极扩展部的第二开口进行尺寸差异化设计，从而提升芯片的可靠性。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括： 半导体叠层，自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层； 透明导电层，形成于所述第二半导体层之上； 保护层，形成于所述透明导电层之上； 第二电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部； 所述保护层在所述第二电极的焊盘部和扩展部分别形成第一开口和第二开口，露出位于所述第二电极焊盘部的所述第二半导体层的部分上表面及位于所述第二电极扩展部的所述透明导电层的部分上表面，所述第二电极通过所述第一开口和所述第二开口与所述第二半导体层形成电性连接； 其特征在于：所述保护层的第二开口包括若干个第一开口部和至少一个第二开口部，所述第二开口部形成于远离所述第二电极焊盘部的末端，所述第二开口部的尺寸大于所述第一开口部的尺寸。
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