厦门三安光电有限公司孙旭获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411388159.5，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由孙旭;晋沙沙;杨人龙;林兓兓设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括：半导体叠层，自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；绝缘层，形成于第二半导体层之上；透明导电层，形成于第二半导体层之上，并覆盖绝缘层；保护层，形成于透明导电层之上，并具有开口露出透明导电层的部分上表面；第二电极，形成于保护层上，包括焊盘部和扩展部，并通过保护层的开口与透明导电层形成电性连接；第二电极扩展部具有与第二电极焊盘部相连接的第一端和远离第二电极焊盘部的第二端，绝缘层仅形成于第二电极扩展部的第二端之下。本发明通过将绝缘层仅设在远离第二电极焊盘部的一端，从而实现在提升芯片的可靠性和发光效率的同时，避免电压升高。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括： 半导体叠层，自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层； 绝缘层，形成于所述第二半导体层之上； 透明导电层，形成于所述第二半导体层之上，并覆盖所述绝缘层； 保护层，形成于所述透明导电层之上，并具有开口露出所述透明导电层的部分上表面； 第二电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，并通过所述保护层的开口与所述透明导电层形成电性连接； 其特征在于：所述第二电极的扩展部具有与所述第二电极的焊盘部相连接的第一端和远离所述第二电极的焊盘部的第二端，所述绝缘层仅形成于所述第二电极的扩展部的第二端之下,所述绝缘层与其正上方的所述第二电极的扩展部具有宽度差，所述宽度差沿所述第二电极的扩展部的第一端到所述第二电极的扩展部的第二端的方向逐渐增大。
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