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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体共用单元结构、块结构、存储器件结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411339717.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体共用单元结构、块结构、存储器件结构及制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体共用单元结构、块结构、存储器件结构及制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体共用单元结构、块结构、存储器件结构及制备方法，半导体共用单元结构包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元与第二存储单元沿第一方向呈镜像地并排分布，第一存储单元与第二存储单元共用同一源漏单元层，第一方向平行于衬底的表面；第一存储单元和第二存储单元均包括第一晶体管和第二晶体管，第一存储单元中的第二晶体管的第四源漏区和第二存储单元中的第二晶体管的第四源漏区分别连接于源漏单元层的相对两面。本公开的存储器件结构的存储密度较高，存储器件结构制程工艺流程较短，制造成本较低。

本发明授权半导体共用单元结构、块结构、存储器件结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体共用单元结构，制备于衬底上，其特征在于，包括： 第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元与所述第二存储单元沿第一方向呈镜像地并排分布，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用同一源漏单元层，所述第一方向平行于所述衬底的表面； 所述第一存储单元和所述第二存储单元均包括： 第一晶体管，位于所述衬底的顶面上方，所述第一晶体管包括：第一栅极、第一栅介质层以及第一半导体层，所述第一栅极沿所述第一方向延伸，所述第一栅介质层随形覆盖所述第一栅极的侧壁及一端部，所述第一半导体层覆盖所述第一栅介质层的表面，且所述第一半导体层包括沿所述第一方向依次分布的第一源漏区、第一沟道区及第二源漏区； 第二晶体管，与所述第一晶体管沿所述第一方向并排分布，所述第二晶体管包括第二栅极、第二栅介质层以及第二半导体层，所述第二栅极沿所述第一方向延伸，所述第二栅介质层随形覆盖所述第二栅极的侧壁及所述第二栅极中远离所述第一晶体管的端部，所述第二半导体层覆盖所述第二栅介质层的表面，且所述第二半导体层包括沿所述第一方向依次分布的第三源漏区、第二沟道区及第四源漏区；所述第二源漏区与所述第二栅极导电连接； 所述第一存储单元中的所述第四源漏区和所述第二存储单元中的所述第四源漏区分别连接于所述源漏单元层的相对两面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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