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龙图腾网获悉国网江苏省电力有限公司丰县供电分公司;国网江苏省电力有限公司徐州供电分公司申请的专利一种高压绝缘装置内C4F7N气体的绝缘特性评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119339855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411512952.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种高压绝缘装置内C4F7N气体的绝缘特性评估方法是由任惠宁;杨乐;李滨;司吉旗;许浩;温厚林;杨惠杭设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压绝缘装置内C4F7N气体的绝缘特性评估方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压绝缘装置内C4F7N气体的绝缘特性评估方法。包括以下步骤：导入SnSe材料的初始参数；对SnSe层进行几何优化；建立C4F7N气体分解产物的分子模型；对C4F7N气体分解产物进行几何优化和能量计算；构建SnSe层的计算函数；构建SnSe的密度泛函理论计算模型；建立C4F7N气体分解产物的吸附模型；导出SnSe和C4F7N气体分解产物的态密度；计算SnSe吸附体系在C4F7N气体分解产物中的功函数变化；评估SnSe材料解吸气体的能力。本发明提供的方法可以准确评估C4F7N分解产物及其对绝缘性能的影响，从而对高压绝缘装置的健康状态进行有效的诊断，实现绝缘故障的早期预警。

本发明授权一种高压绝缘装置内C4F7N气体的绝缘特性评估方法在权利要求书中公布了：1.一种高压绝缘装置内C4F7N气体的绝缘特性评估方法，其特征在于，包括以下步骤： 1自MaterialsStudio材料库中导入SnSe材料的初始参数，在进行001晶面的切割后，建立SnSe层的最小晶胞结构； 2对所述SnSe层进行几何优化后，确定SnSe层的体系能量及电荷情况； 3建立C4F7N气体分解产物的分子模型，并对C4F7N气体分解产物进行几何优化，确定SnSe层的体系能量、电荷情况、各分子键长及键角； 4对C4F7N气体分解产物的单链吸附结构进行几何优化和能量计算； 5构建SnSe层的吸附能、掺杂能和电荷转移量的计算函数，并定义所需的计算公式及物理量； 6对自定义的吸附计算公式的参数进行设置，并构建基于7×7×1的Monkhorst-Packk点网格的SnSe的密度泛函理论计算模型； 7在SnSe层表面的Sn原子及Se原子的顶位、穴位以及桥位分别建立C4F7N气体分解产物的吸附模型，然后根据各吸附结构的整体能量及电荷转移情况，结合自定义的吸附计算公式找到不同靶向分子SnSe层形变最小、电荷转移量最大及吸附能最大的SnSe基复合吸附结构； 8导出SnSe和C4F7N气体分解产物的态密度，并进行分析，然后根据费米能级附近的能量曲线积分及变化程度对吸附体系的电导率进行分析； 9计算SnSe吸附体系在C4F7N气体分解产物中的功函数变化情况； 10采用恢复时间评估SnSe材料解吸气体的能力，用以评估高压绝缘装置的有效性，以评估SnSe层的气体传感能力。

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