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龙图腾网获悉北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院申请的专利一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411429666.9，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法是由祝连庆;杨继兴;鹿利单;陈伟强;董明利;何彦霖设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件设计及制造领域，公开了一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法，包括：半导体衬底；缓冲层：设置在半导体衬底上方；N型下电极接触层：位于缓冲层上方；中波红外吸收层：位于N型下电极接触层上方；电子势垒层：位于中波红外吸收层上方；短波红外吸收层：位于电子势垒层上方；N型上电极接触层：位于短波红外吸收层上方；Cap层：位于N型上电极接触层上方；电极层：上电极位于所述Cap层上方；下电极与N型下电极接触层相接；钝化层：覆盖在探测器的侧壁。通过采用电子势垒层来分隔不同的吸收层，减少了不同波段之间的串音效应，从而降低了探测器在复杂环境下的虚警率，这一特性使得探测器在高干扰环境下仍能保持高精度。

本发明授权一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器，其特征在于，包括： 半导体衬底1：半导体衬底1为GaSb材料； 缓冲层2：设置在半导体衬底1上方，为GaSb材料； N型下电极接触层3：位于缓冲层2上方，N型下电极接触层3为InAsGaSb超晶格结构，经过掺杂处理形成N型导电层； 中波红外吸收层4：位于N型下电极接触层3上方，中波红外吸收层4为InAsGaSb超晶格结构； 电子势垒层5：位于中波红外吸收层4上方，电子势垒层5为AlGaAs材料； 短波红外吸收层6：位于电子势垒层5上方，短波红外吸收层6为InAsGaSb超晶格结构，未掺杂； N型上电极接触层7：位于短波红外吸收层6上方，N型上电极接触层7为InAsGaSb超晶格结构，经过掺杂处理形成N型导电层； Cap层8：位于N型上电极接触层7上方，Cap层8为InAs材料，经过掺杂处理形成上电极的欧姆接触层； 电极层9：上电极：位于所述Cap层8上方，由TiAu合金制成；下电极：与N型下电极接触层3相接，由TiAu合金制成； 钝化层10：覆盖在探测器的侧壁，钝化材料为二氧化硅和氧化铝。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院，其通讯地址为：100085 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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