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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种基于Te纳米管的热电-压电单通道双参数传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119309616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310853400.6，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种基于Te纳米管的热电-压电单通道双参数传感器及其制作方法是由邰凯平;曾豪;喻海龙;于治;宋雨洁;李胜前设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于Te纳米管的热电-压电单通道双参数传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种基于Te纳米管的热电‑压电单通道双参数传感器及其制作方法。该传感器包括多层复合膜结构，从下往上依次为：聚酰亚胺柔性基底、下电极氧化铟锡导电层、SiO2介电层、Te纳米管薄膜传感层、聚二甲基硅氧烷封装保护层、上电极金层，上电极金层、下电极氧化铟锡导电层分别通过银胶引出金线作为唯一输出端；聚酰亚胺柔性基底作为柔性支撑，上电极金层、下电极氧化铟锡导电层与外部电路形成回路以输出信号。该热电‑压电单通道双参数传感器可在单一通道同时输出热电‑压电信号，具有优异的柔性，制备方法简单，成本低，可实现大规模制备和微型化应用，在医疗健康、人机交互等领域具有重大潜力。

本发明授权一种基于Te纳米管的热电-压电单通道双参数传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Te纳米管的热电-压电单通道双参数传感器的制备方法，其特征在于，该传感器包括多层复合膜结构，从下往上依次为：聚酰亚胺柔性基底、下电极氧化铟锡导电层、SiO2介电层、Te纳米管薄膜传感层、聚二甲基硅氧烷封装保护层、上电极金层，上电极金层、下电极氧化铟锡导电层分别通过银胶引出金线作为唯一输出端；聚酰亚胺柔性基底作为柔性支撑，上电极金层、下电极氧化铟锡导电层与外部电路形成回路以输出信号；该传感器的制备方法包括如下步骤： 步骤1：在聚酰亚胺柔性基底上利用磁控溅射技术依次掩膜沉积下电极氧化铟锡导电层和SiO2介电层； 步骤2：管式炉热蒸发沉积Te纳米管薄膜传感层； 步骤3：在Te纳米管薄膜传感层上旋涂聚二甲基硅氧烷封装保护层； 步骤4：磁控溅射掩膜沉积80~120nm厚的上电极金层，上电极金层的面积小于下电极氧化铟锡导电层的面积，避免上下电极接触导通； 步骤5：取下掩膜版，将聚酰亚胺柔性基底从固定的玻璃基板上取下，揭下聚酰亚胺掩膜胶带露出预留的下电极氧化铟锡，分别用银胶把金线一端固定在上下电极上，两根金线的自由端即为传感器的输出端。

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