湖北三安光电有限公司石保军获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北三安光电有限公司申请的专利DBR结构、发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411392078.2，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权DBR结构、发光二极管及发光装置是由石保军;徐瑾;洪灵愿;王水杰;王强;晏尧设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本DBR结构、发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种DBR结构、发光二极管及发光装置，该DBR结构依次包括：第一部分，包括若干个光学厚度大于0.1λ的第一材料层，以及至少一个光学厚度小于0.05λ的第一材料层；第二部分，其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间；第三部分，其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间，且第三部分的第一材料层的光学厚度差值大于第二部分的第一材料层的光学厚度差值。本申请提供的模组设计可以有效抵抗波长变化引起的大角度透光减弱问题，促进不同波段的光线均能从发光二极管的侧面和背面出射，且随着入射角的变化，该DBR结构对光线始终能够保持稳定均匀的透过率由此增加芯片亮度，提升出光的均匀性。
本发明授权DBR结构、发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种分布式布拉格反射结构，其特征在于，至少包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率；沿分布式布拉格反射结构的厚度方向，所述分布式布拉格反射结构依次包括： 第一部分，包括多个第一材料层和多个第二材料层，其中第一材料层包括多个光学厚度大于0.1λ的第一材料层，以及至少包括一个光学厚度小于0.05λ的第一材料层； 第二部分，包括多个第一材料层和多个第二材料层，其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间； 第三部分，包括多个第一材料层和多个第二材料层，其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间，且所述第三部分的第一材料层的光学厚度差值大于所述第二部分的第一材料层的光学厚度差值。
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