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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种自驱动光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411274155.4，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种自驱动光电探测器及其制备方法是由刘学;武创伟;田然;王智弘;王斯睿设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自驱动光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种自驱动光电探测器及其制备方法，包括硅基底片，硅基底片包括底层硅和二氧化硅层，石墨烯层，覆盖在二氧化硅层表面用于收集从光吸收层传输过来的光生载流子并导出电流，隧穿层材料为六方氮化硼，覆盖在石墨烯层和二氧化硅层表面，光吸收层材料为二硫化钼，位于在隧穿层表面用于吸收光并生成光生载流子，金属电极，设有两组且分别设置在石墨烯层和光吸收层的表面，用于连接外部电路，通过构建石墨烯六方氮化硼二硫化钼异质结独特结构，充分发挥具有NBVN反位氮空位缺陷的六方氮化硼特性，使得本探测器在无外部偏压的状态下仅通过光照便可内部自行出现电流，实现无外部偏压的光电探测，且材料自身的高灵敏性特质实现了快速稳定地探测。

本发明授权一种自驱动光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自驱动光电探测器，其特征在于，包括： 硅基底片10，所述硅基底片包括从下至上依次堆叠的底层硅11和二氧化硅层12，底层硅11用于提供机械支撑，二氧化硅层12用于电气隔离； 石墨烯层20，所述石墨烯层20覆盖在二氧化硅层12表面，用于收集从光吸收层40传输过来的光生载流子，并导出电流； 隧穿层30，所述隧穿层30覆盖在石墨烯层20和二氧化硅层12表面，用于在石墨烯层20和光吸收层40之间进行电气隔离，避免石墨烯层20和光吸收层40直接接触，所述隧穿层30材料为六方氮化硼； 所述隧穿层30六方氮化硼材料具有NBVN反位氮空位的缺陷； 光吸收层40，所述光吸收层40位于在隧穿层30表面，用于吸收光并生成光生载流子，所述载流子通过隧穿层30传输到石墨烯层20，所述光吸收层40材料为二硫化钼； 金属电极50，所述金属电极50设置有两组且分别设置在石墨烯层20和光吸收层40的表面，一组与石墨烯层20欧姆接触设为漏极、另一组与光吸收层40欧姆接触设为源极，用于连接外部电路，将光吸收层40产生的光生载流子导出。

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