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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种显示结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119270530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411658214.8，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种显示结构是由童浩;谭青山;周启沛;汪宾浩;乐章;刘芮含;缪向水设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种显示结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示结构，该结构包括窄带吸收体结构；宽带吸收体结构，包括介质层和金属层构成的薄膜，所述金属层为多层，具有损耗，K值大于预设阈值，所述宽带吸收体结构位于所述窄带吸收体结构之上，与所述窄带吸收体结构耦合，产生鲜艳的颜色。本发明在宽带吸收体结构中采用多层具有高K值的金属层，可以抑制非目标波段的反射率，以产生丰富的颜色，提升颜色的纯度，该结构组件具有结构简单，不易受环境影响，角度不敏感等优点。

本发明授权一种显示结构在权利要求书中公布了：1.一种显示结构，其特征在于，包括： 窄带吸收体结构； 宽带吸收体结构，包括介质层和金属层构成的薄膜，所述金属层为多层，具有损耗，K值大于预设阈值，所述宽带吸收体结构位于所述窄带吸收体结构之上，与所述窄带吸收体结构耦合，产生鲜艳的颜色； 所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层之上； 所述第一金属层为Ag，所述第一金属层的厚度在10nm至100nm范围内变化； 所述第二金属层为K值大于所述预设阈值的Ge、Si或W金属材料，所述第二金属层的厚度在5nm至20nm范围内变化； 所述介质层包括第一介质层和第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层之上，所述介质层位于所述金属层之上； 所述第一介质层为Ta2O3.3，用于防止底层金属氧化，所述第二介质层为K值为0的Ta2O3.5、Ta的氧化物、TiO2或SiO2； 所述窄带吸收体结构包括从下到上依次布设的反射层、第三介质层、第四介质层和所述第一金属层； 所述第三介质层为Ta2O3.3，所述第三介质层的厚度为5至10nm； 所述第四介质层为Ta2O3.5、Ta的氧化物、TiO2或SiO2，材料的K值为0，所述第四介质层的厚度在10nm至1微米范围内变化； 还包括第三金属层，所述第三金属层位于所述第二金属层之上。

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