安徽微芯长江半导体材料有限公司忻隽获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽微芯长江半导体材料有限公司申请的专利一种可实现导流的PVT晶体生长坩埚获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119221103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411360410.7，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种可实现导流的PVT晶体生长坩埚是由忻隽;孔海宽;涂小牛;胡阳设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可实现导流的PVT晶体生长坩埚在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可实现导流的PVT晶体生长坩埚，包括生长坩埚、感应线圈、籽晶托和导流源装置，能够有效通过物理阻隔挡台结构配合后腔导流及籽晶特殊方向放置，实现对物料输运路径的精准控制，使物料始终沿生长界面台阶流的特定方向进行输运，有效提高了晶体生长的稳定性、重复性，提高晶体结晶质量，降低晶体位错密度。
本发明授权一种可实现导流的PVT晶体生长坩埚在权利要求书中公布了：1.一种可实现导流的PVT晶体生长坩埚，包括生长坩埚、感应线圈、籽晶托和导流源装置，所述的生长坩埚外包裹保温毡，保温毡两侧设有感应线圈，生长坩埚内部底部是碳化硅粉料，碳化硅粉料上部设有多孔石墨过滤板，生长坩埚顶部盖板上设有籽晶托后腔导流孔，盖板下方设有籽晶托，籽晶托上粘连籽晶，其特征是：所述的导流源装置包括多孔石墨过滤板和导流石墨挡板组成； 所述多孔石墨过滤板孔隙率为40%~75%，直径为130mm~250mm，厚度为1mm~3mm，其直径与相应使用的坩埚料区内径相等； 所述导流石墨挡板孔隙率小于35%，直径为130mm~250mm，厚度为1mm~3mm，下表面距离所述多孔石墨过滤板距离为2~20mm，导流石墨挡板一侧开孔，开孔弧长为导流石墨挡板周长的四分之一至三分之一，开孔内侧有垂直于多孔石墨过滤板的石墨挡板，厚度为1mm~3mm，高度为10~50mm，石墨挡板平面至籽晶距离为50~100mm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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