湖南师范大学金湘亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南师范大学申请的专利一种基于CMOS工艺的易失性忆阻器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119156023B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411315029.9，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种基于CMOS工艺的易失性忆阻器及其制作方法是由金湘亮;刘煜杰设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于CMOS工艺的易失性忆阻器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CMOS工艺的易失性忆阻器，包括P型衬底、第一N‑Well区、第一P‑Well区、第二N‑Well区；第一N‑Well区和第二N‑Well区中均设有与电极连接的N+注入区、多晶硅栅、P+注入区；第一P‑Well区中设有两个多晶硅栅和一个P+注入区并建立电气连接；两个电位浮空的N+注入区分别跨接在第一N‑Well区、第二N‑Well区与第一P‑Well区相接处。本发明器件利用正反馈路径产生阻变效应，能够在低阻态和高阻态之间连续地变化，可以应用于大规模片上集成神经形态计算。同时，器件基于商用CMOS工艺制作且不需要额外掩膜，具有结构简单、制造成本低、集成度高的优势。
本发明授权一种基于CMOS工艺的易失性忆阻器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS工艺的易失性忆阻器，其特征在于：包括P型衬底，P型衬底上从左至右依次设有第一N阱102、P阱103、第二N阱104；第一N阱102右侧边缘与P阱103左侧边缘相接，P阱103右侧边缘与第二N阱104左侧边缘相接； 其中，第一N阱102上从左至右依次设有第一N+注入区105、第一多晶硅栅207、第一P+注入区109、第二N+注入区106；P阱103上从左至右依次设有第二N+注入区106、第二多晶硅栅208、第二P+注入区110、第三多晶硅栅209、第三N+注入区107；第二N阱104上从左至右依次设有第三N+注入区107、第三P+注入区111、第四多晶硅栅210、第四N+注入区108；第二N+注入区106跨接在第一N阱102和P阱103之间，第三N+注入区107跨接在P阱103和第二N阱104之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南师范大学，其通讯地址为：410081 湖南省长沙市岳麓区桔子洲街道麓山路36号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励