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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119136626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411052855.9，技术领域涉及：H10K71/18；该发明授权一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备是由余永燊;李福山;胡海龙;杨开宇设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备，包括基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层等的制备以及设备的封装等步骤，该方法可以大幅提高量子点转移速度和转移精度，也增加了制备过程的稳健性和可重复性，因此，在量子点光电领域中，本申请相对于传统的制备方法具有独特的优势和创新点，可以大幅提高发光二极管在全彩显示、背景照明、生物成像等应用领域的性能和应用前景。

本发明授权一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：准备基板，并对所述基板进行预处理，确保表面干净无污染； S2：旋涂空穴注入层，在经预处理后的基板上旋涂空穴注入层材料制成的溶液，并进行退火处理； S3：旋涂空穴传输层，在所述空穴注入层表面旋涂沉积空穴传输层材料制成的溶液，生成有机半导体薄膜； S4：制备量子点发光层，在所述空穴传输层表面制备量子点发光层，包括： 处理第一量子点，将第一量子点溶于第一溶剂中，在液面上形成致密排布的薄膜，粘取所述薄膜，使用定位相机进行像素对位后完成像素转移，将所述薄膜转印到所述基板上，形成第一量子点矩阵； 处理第二量子点，将第二量子点溶于第二溶剂中，在液面上形成致密排布的薄膜，粘取所述薄膜，使用定位相机进行像素对位后完成像素转移，将所述薄膜转印到所述基板上，形成第二量子点矩阵； 处理第三量子点，将第三量子点溶于第三溶剂中，在液面上形成致密排布的薄膜，粘取所述薄膜，使用定位相机进行像素对位后完成像素转移，将所述薄膜转印到所述基板上，形成第三量子点矩阵； 所述第一量子点、所述第二量子点、所述第三量子点的颜色不同； 所述第一量子点矩阵、所述第二量子点矩阵、所述第三量子点矩阵在所述空穴传输层表面水平方向规则地交替排列； S5：旋涂电子传输层，在所述量子点发光层表面旋涂电子传输层材料制成的溶液，并进行退火处理； S6：制备金属电极； S7：封装。

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