厦门三安光电有限公司颜同伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利半导体激光元件及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119070137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411088858.8，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权半导体激光元件及发光装置是由颜同伟;黄少华;王俞授;张中英设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光元件及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体激光元件及发光装置，半导体激光元件通过在第一波导层与有源层之间插入应力释放层，将晶格常数从衬底层较好地过渡到有源层，降低晶格畸变率，提高层间晶格匹配度，为有源层提供更好的生长环境，减少有源层表面的微坑缺陷，提高有源层晶体质量；同时应力释放层中In组分峰值强度小于第一波导层中的In组分含量，以精确控制激光波长和载流子复合位置，减少电子溢流，提高载流子复合效率及增益效果，避免产生双峰现象，最终达到提高出光亮度的目的。
本发明授权半导体激光元件及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光元件，其特征在于，至少包括： 半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述第一半导体层包括第一波导层，所述第二半导体层包括第二波导层，所述第一波导层和所述第二波导层均位于对应半导体层中靠近所述有源层的一侧；其中， 所述第一波导层与所述有源层之间还包括应力释放层，至少部分所述应力释放层含有In组份，所述In组份沿半导体叠层生长方向形成一离子强度曲线，所述应力释放层中的In组分在所述离子强度曲线的峰值强度小于所述第一波导层中的In组分最大含量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门三安光电有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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