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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种双透波频段可调的吸透一体频率选择表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119070029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411291807.5，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种双透波频段可调的吸透一体频率选择表面是由刘汶达;周金柱;李远志;杨森;赵平;张强设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双透波频段可调的吸透一体频率选择表面在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双透波频段可调的吸透一体频率选择表面，包括周期排布的由有损层和无损层组成的频率选择表面单元，有损层包括第一谐振结构和第一偏置电路，无损层包括第二谐振结构和第二偏置电路，两个偏置电路中金属走线对不同直流电压的传输，使两个谐振结构中的四组变容二极管产生不同的电容值，进而实现在双频透波段中其中一个透波频段保持稳定的同时对另一个透波频段连续可调，并吸收特定频率范围内电磁波能量，避免了现有技术因两个通带频段固定或者两个通带频段其中一个保持固定而导致的外界其他电磁波频率与通信电磁波频率接近时对通信电磁波产生干扰的缺陷，有效提高了无线通信质量，同时提高了两个特定电磁频段的吸收能力。

本发明授权一种双透波频段可调的吸透一体频率选择表面在权利要求书中公布了：1.一种双透波频段独立可调的吸透一体频率选择表面，包括周期排布的多个由上下排布且不接触的有损层结构和无损层结构组成的频率选择表面单元，所述有损层结构包括第一介质基板1及印制其上表面的第一谐振结构2；所述无损层结构包括第二介质基板4及印制其上表面的第二谐振结构5；所述第一谐振结构2，包括第一方形金属环22和嵌套在其环内的第一方形贴片21，所述第一方形贴片21的左右对边与第一方形金属环22之间各设置有第一变容二极管25，所述第一方形金属环22的每条边各连接有第一金属条带24，与第一变容二极管25连接的金属条带上设置有电阻26；其特征在于： 与第一方形金属环22左右两边连接的第一金属条带24上设置有与其垂直交叉的第二金属条带23和第三金属条带27，该两条金属条带之间设置有第二变容二极管28，所述电阻26位于第二金属条带23与第一方形金属环22之间； 所述第二谐振结构5，包括并排设置的2×2个第一矩形金属环51和2×2个第二矩形金属环52，每个第一矩形金属环51内设置有第一矩形贴片53以及左右对边与其连接的第三变容二极管55，每个第二矩形金属环52内设置有第二矩形贴片54以及左右对边与其连接的第四变容二极管56。

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