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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于涡旋馈源的准贝塞尔波束的能量分布调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119070025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411209667.2，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权基于涡旋馈源的准贝塞尔波束的能量分布调控方法是由李龙;何斯彤;薛皓;孟洪州;刘海霞设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于涡旋馈源的准贝塞尔波束的能量分布调控方法在说明书摘要公布了：基于涡旋馈源的准贝塞尔波束的能量分布调控方法，包括以下步骤；步骤1：设定电磁超表面产生的准贝塞尔波束的波束参数，用于计算电磁超表面的阵列规模和设计涡旋馈源；步骤2：设计涡旋馈源的参数，得到涡旋馈源；步骤3：计算电磁超表面的阵列规模，用于电磁超表面的设计；步骤4：根据设定的准贝塞尔波束的波束参数与涡旋馈源的参数进行相位补偿设计，构建超表面；步骤5：对涡旋馈源进行射频激励，实现涡旋波对电磁超表面的馈电，产生能量分布可控的准贝塞尔波束。本发明控制涡旋馈源产生涡旋波的电场强度分布，并利用电磁超表面对产生的涡旋电磁波进行相位补偿，实现准贝塞尔波束的能量分布调控。

本发明授权基于涡旋馈源的准贝塞尔波束的能量分布调控方法在权利要求书中公布了：1.基于涡旋馈源的准贝塞尔波束的能量分布调控方法，其特征在于，包括以下步骤； 步骤1：设定电磁超表面产生的准贝塞尔波束的波束参数，所述波束参数包含准贝塞尔波束圆锥角为α，准贝塞尔波束能量分布集中的区域为d1～d2，模态值为lbeam；用于计算电磁超表面的阵列规模和设计涡旋馈源； 步骤2：根据设定的准贝塞尔波束圆锥角α和准贝塞尔波束能量分布集中的区域d1～d2，设计涡旋馈源的参数，得到涡旋馈源； 步骤3：根据设定的准贝塞尔波束圆锥角α和准贝塞尔波束能量分布集中的区域d1～d2，计算电磁超表面的阵列规模，用于电磁超表面的设计； 步骤4：根据设定的准贝塞尔波束的波束参数与设计的涡旋馈源的参数进行相位补偿设计，构建超表面； 步骤5：对涡旋馈源进行射频激励，实现涡旋波对电磁超表面的馈电，产生能量分布可控的准贝塞尔波束； 所述步骤2具体为： 1：设定涡旋馈源由N个单元构成，位于笛卡尔坐标系的xoy面中，工作频率为f0，工作波长为λ，设定电磁超表面的单元在x和y方向的间距为定值d∈[0.3λ,0.7λ]，涡旋馈源中心点的坐标为0,0,Zf，涡旋馈源所产生涡旋波的模态值为lfeed； 2根据设定的准贝塞尔波束能量分布集中区域d1～d2计算涡旋馈源所产生涡旋波束的发散角为； 其中，arctan.为反tan函数； 3：根据设定的涡旋馈源所产生涡旋波的模态值lfeed和计算出的涡旋馈源产生涡旋波束的发散角θ，计算涡旋馈源的半径，用于涡旋馈源的单元的放置； 其中，为第lfeed阶贝塞尔函数的第一个零点，为波数； 4：计算涡旋馈源单元的激励相差，用于涡旋馈源的馈电： 5：将涡旋馈源按照计算的以半径为rfeed的圆周均匀分布进行均匀排列，得到涡旋馈源； 所述1中lfeed为任意整数，N≥2×lfeed，40d≤Zf≤60×d； 所述步骤3具体为： 根据设定的准贝塞尔波束能量分布集中区域d1～d2、准贝塞尔波束的圆锥角为α，确定电磁超表面的阵列规模M，即阵列的行列数，用于电磁超表面的设计： d是电磁超表面单元的间距； 所述步骤4具体为： 1：电磁超表面由步骤3计算的M行M列的单元组成，设定电磁超表面的x方向第i个，y方向第j个阵元的坐标为xi,yj,0； 2：根据设定的准贝塞尔波束圆锥角α，模态值lbeam，涡旋馈源中心点的坐标0,0,Zf，涡旋馈源所产生涡旋波的模态值lfeed，计算电磁超表面每个单元的补偿相位，用于调整电磁超表面单元的状态： 其中，Φi,j表示电磁超表面中第i行第j列单元所需的补偿相位，arg.表示取复数的辐角操作，exp.表示以自然对数e为底的指数操作，表示位于xi,yj,0的电磁超表面单元相对于原点的方位角； 3：设计电磁超表面单元，并绘制电磁超表面单元的透射相位表和透射幅度表； 4；根据电磁超表面每个单元所需的补偿相位，调整电磁超表面每个单元的状态，得到电磁超表面。

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