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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种与CMOS工艺集成的Te基图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411164997.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种与CMOS工艺集成的Te基图像传感器及其制备方法是由陈杰威;郑涛;王文晓;郭倩怡;李丽华;杨中民设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种与CMOS工艺集成的Te基图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于图像传感技术领域，具体公开了一种与CMOS工艺集成的Te基图像传感器及其制备方法，包括蓝宝石衬底、TeSi异质结光电感应层、Te薄膜侧漏电极、Si薄膜侧源电极、隔离层、金属栅电极、栅介质层、开关处理层、开关处理层侧漏电极、开关处理层侧源电极、漏电极互联极片、光照屏蔽层；本发明以Te和Si作为感光层材料，构建的TeSi异质结能够在短波近红外波段具有双向光响应特性，并且具有较高的光电转换效率；本发明构建TeSi异质结与薄膜晶体管的片上集成，实现了光电感应功能和信息处理功能的优势互补，提高了系统的稳定性和可靠性，简化了电路设计，满足了小型化和轻量化的需求。

本发明授权一种与CMOS工艺集成的Te基图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种与CMOS工艺集成的Te基图像传感器，包括蓝宝石衬底；其特征在于： 所述蓝宝石衬底的上端面一侧设有由Te薄膜和Si薄膜组成的TeSi异质结光电感应层；所述Te薄膜一侧的蓝宝石衬底的上端面设有与Te薄膜一端连接的Te薄膜侧漏电极，所述Si薄膜一侧的蓝宝石衬底的上端面设有与Si薄膜一端连接的Si薄膜侧源电极； 所述蓝宝石衬底的上端面另一侧、所述TeSi异质结光电感应层的上端面、Te薄膜侧漏电极的外壁和Si薄膜侧源电极的外壁设有隔离层； 所述隔离层的上端面另一侧设有金属栅电极；所述隔离层的上端面和所述金属栅电极的外壁设有栅介质层；所述栅介质层上端面设有开关处理层；所述开关处理层一端的栅介质层上端面设有与开关处理层一端连接的开关处理层侧漏电极，开关处理层另一端的栅介质层上端面设有与开关处理层另一端连接的开关处理层侧源电极； 开关处理层侧漏电极与Te薄膜侧漏电极端部通过贯穿栅介质层和隔离层的漏电极互联极片连接； 所述开关处理层正下方的蓝宝石衬底的下端面设有光照屏蔽层。

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