华为技术有限公司;华中科技大学杨哲获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司;华中科技大学申请的专利存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119007794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410964032.7，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备是由杨哲;郭晨阳;王伦;童浩;涂洒;陈一峰;缪向水;朱晓明设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备。一种存储设备包括：存储芯片、电脉冲生成器和处理器，存储芯片包括多个存储单元。处理器被配置为：确定多个存储单元中泄露电流不低于阈值泄漏电流的目标存储单元，以及触发电脉冲生成器向目标存储单元施加电脉冲，施加的电脉冲使目标存储单元的泄露电流低于所述阈值泄露电流。以此方式，本公开的实施例能够提高存储设备的可靠性，从而使其例如经过高温工艺后泄漏电流的大小处于期望范围内，满足高密度集成的需求。
本发明授权存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储设备，其特征在于，所述存储设备包括： 存储芯片，包括多个存储单元； 电脉冲生成器；及 处理器，所述处理器用于连接所述存储芯片与所述电脉冲生成器，并被配置为： 确定所述多个存储单元中泄露电流不低于阈值泄漏电流的目标存储单元；以及 在确定所述目标存储单元后，触发所述电脉冲生成器向所述目标存储单元施加电脉冲，施加的所述电脉冲使所述目标存储单元的泄露电流低于所述阈值泄露电流。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司;华中科技大学，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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